发明名称 将资料写入一光学储存媒体之方法
摘要 本发明提供一种使用一光学储存装置将资料写入一光学储存媒体之方法,其包含有以下步骤:提供一EFM波形至该光学储存装置,该EFM波形包含有一前一平坦区、一目前凹洞区及一后一平坦区;依据该前一平坦区、该目前凹洞区及该后一平坦区之波形长度,从一记忆体中所储存之复数组写入策略参数中选取一组写入策略参数;依据该组写入策略参数,产生一写入时间长度波形;以及利用该写入时间长度波形驱动一光学读写头来将资料写入该光学储存媒体。
申请公布号 TWI233605 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW092100570 申请日期 2003.01.10
申请人 联发科技股份有限公司 发明人 赵铭阳
分类号 G11B7/0045 主分类号 G11B7/0045
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种使用一光学储存装置将资料写入一光学储存媒体之方法,该光学储存装置包含有一记亿体及一光学读写头(Pickup),该记忆体中储存有复数组写入策略参数,该方法包含有以下步骤:提供一RLL调变波形至该光学储存装置,该RLL调变波形包含有一前一平坦区(Previous Land)、一目前凹洞区(Current Pit)以及一后一平坦区(Next Land);依据该前一平坦区、该目前凹洞区以及该后一平坦区之波形长度,从该记忆体中所储存之复数组写入策略参数中选取一组相对应之写入策略参数;依据该组被选取之写入策略参数,产生一写入时间长度波形;以及利用该写入时间长度波形驱动该光学读写头来将对应于该RLL调变波形之资料写入该光学储存媒体。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该RLL调变波形具有一基准周期(EFM Base Period),且当该光学储存装置未写入资料时,该写入时间长度波形系处于一消除态(Erase Power),当该光学储存装置欲写入资料时,该写入时间长度波形则处于一基准态(BiasPower)且依序包含有复数个脉冲,该脉冲系使该写入时间长度波形自该基准态切换至一写入态(WritePower)。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该复数组写入策略参数包含有复数个第一参数及复数个第二参数,各该第一参数代表自该目前凹洞区之前缘至该写入时间长度波形之第一个脉冲之前缘的延迟(Delay),各该第二参数代表自该写入时间长度波形之第一个脉冲之后缘至该第一个脉冲之后一脉冲之前缘的延迟,该方法另包含有以下步骤:依据该前一平坦区及该目前凹洞区之波形长度,从该等第一参数中选取一相对应之第一参数;以及依据该前一平坦区及该目前凹洞区之波形长度,从该等第二参数中选取一相对应之第二参数。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该等写入策略参数包含有复数组重覆脉冲参数群组,各该组重覆脉冲参数群组中包含有复数个重覆脉冲参数,该等重覆脉冲参数分别代表该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外其他脉冲之长度,且于该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中,任何连续之二脉冲之前缘之间的长度等于该基准周期之二倍,该方法另包含有以下步骤:依据该目前凹洞区之波形长度,从该等重覆脉冲参数群组中选取一组相对应之重覆脉冲参数群组。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该等写入策略参数包含有复数个第三参数、复数个第四参数以及复数个第五参数,各该第三参数代表自该目前凹洞区之后缘向前二倍该基准周期之处至该写入时间长度波形之最后一个脉冲之前缘的延迟,各该第四参数代表该写入时间长度波形之最后一个脉冲之长度,各该第五参数系代表自该目前凹洞区之后缘向前一倍该基准周期之处至该写入时间长度波形切换回该消除态之处之延迟,该方法另包含以下步骤:依据该目前凹洞区及该后一平坦区之波形长度,从该等第三参数中选取一相对应之第三参数;依据该目前凹洞区之波形长度,从该等第四参数中选取一相对应之第四参数;以及依据该目前凹洞区及该后一平坦区之波形长度,从该等第五参数中选取一相对应之第五参数。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该写入时间长度波形之第一个脉冲之后缘系对齐于该目前凹洞区之前缘向后二倍该基准周期之处。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该写入时间长度波形之第一个脉冲之长度系等于二倍该基准周期之长度减去该被选取之第一参数。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中属于同一重覆脉冲参数群组中之该等重覆脉冲参数系彼此相等。9.如申请专利范围第4项所述之方法,其中属于同一重覆脉冲参数群组中之该等重覆脉冲参数未必彼此相等。10.如申请专利范围第2项所述之方法,其中于该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中,任何一个脉冲之后缘与其下一个脉冲之前缘之间的延迟系等于二倍该基准周期之长度减去该脉冲之长度。11.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该写入时间长度波形之最后一个脉冲之后缘至该写入时间长度波形切换回该消除态之处之延迟系等于该被选取之第五参数加上一倍该基准周期之长度减去该被选取之第三参数再减去该被选取之第四参数所得之値。12.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该前一平坦区、该目前凹洞区、以及该后一平坦区之波形长度均为该基准周期之倍数并介于三倍该基准周期及十一倍该基准周期之间。13.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该消除态、该基准态、以及该写入态之値系为预设値,且不会因为不同之RLL调变波形而有所不同。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光学储存装置系为一光碟烧录机(CD Burner)。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该光学储存媒体系为一可重覆写入式光碟片(CD-RW)。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光学储存装置系为一数位多用途光碟烧录机(DVD Burner)。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该光学储存媒体系为一可记录式数位多用途光碟片(DVD-R)。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该光学储存媒体系为一可重覆写入式数位多用途光碟片(DVD-RW)。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该RLL调变波形系为一八对十四调变波形(Eight-to-FourteenModulation Waveform, EFM Waveform)。图式简单说明:图一为本发明之将资料写入一光学储存媒体之方法的流程图。图二为本发明之2T写入策略参数的示意图。图三为图一中步骤12选取写入策略参数之方法的流程图。
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