| 主权项 |
1.一种多成分流体组成物监视与组成控制系统,其中,该多成分流体系被利用于一使用流体之处理设施,该系统包含:(a)进行实时成分分析之装置,此装置系藉滴定或其他分析程序,而针对一或多种重要成分进行多成分流体之实时成分分析;以及(b)运算装置,用于测定并且以回应方式实时调整多成分流体组成物中之一或多种成分之相对含量或比例,俾维持被利用于该使用流体之处理设施中的多成分流体组成物之预定组成特性。2.如申请专利范围第1项之系统,其中,该处理设施包含一种半导体制造设施。3.如申请专利范围第2项之系统,其中,该多成分流体系用于半导体制造设施用于一种选自蚀刻、化学机械平坦化(CMP)、微影术、化学气相沉积、旋涂施用、超临界流体清洁操作、晶圆溶剂乾燥操作以及光阻与蚀刻后残余物之去除组成之组群之处理。4.如申请专利范围第2项之系统,其中,该多成分流体系用于半导体制造设施进行光阻及蚀刻后残余物之去除。5.如申请专利范围第2项之系统,其中,该多成分流体包含一种半水性溶剂介质。6.如申请专利范围第5项之系统,其中,该半水性溶剂介质包含水以及一种光阻去除溶剂。7.一种流体利用与管理系统,包含一种使用多成分流体之使用流体之处理设施,以及一种流体监视与浓度控制系统,用以将该多成分流体中之一或多种选定之物种浓度维持于该多成分流体,俾用于使用流体处理设施期望使用之程度,其中该流体监视与浓度控制系统包含(i)一分析器单元,其系构造与配置成使用实时方法监视该多成分流体之一或多种成分浓度,以及(ii)一控制单元,其构造与配置系比较分析器单元与前置程式规划规格之结果,且视需要以回应方式控制该一或多种成分配送入该多成分流体,俾维持用于使用流体之处理设施之多成分流体之一或多种成分于预定浓度。8.如申请专利范围第7项之系统,其中,该使用流体之处理设施包含由半导体装置结构移除光阻及蚀刻后材料。9.如申请专利范围第8项之系统,其中,该多成分流体包含水及有机溶剂成分。10.如申请专利范围第9项之系统,其中,水为该多成分流体被监视之成分。11.如申请专利范围第10项之系统,包含该多成分流体浴,藉分析单元由该浴进行抽样,以及由该浴撤取流体以及流至该使用流体之处理设施。12.如申请专利范围第11项之系统,其中,该分析单元系构造且配置成可对由浴中撤取之流体进行卡尔费雪滴定。13.如申请专利范围第12项之系统,其中,该前置程式规划规格包括被监视之浴容积、监视频率、以及用于校准之滴定计算因数。14.如申请专利范围第13项之系统,包含供给试剂用以进行卡尔费雪滴定之装置。15.如申请专利范围第14项之系统,进一步包含前置滴定乾燥试剂之装置,俾用于进行卡尔费雪滴定之试剂之装置。16.如申请专利范围第15项之系统,进一步包含测定卡尔费雪滴定终点之装置。17.如申请专利范围第16项之系统,其中,该测定卡尔费雪滴定终点之装置包含双铂感测器。18.如申请专利范围第17项之系统,其中,该多成分流体包含一种以胺为主之硷性水性溶剂混合物。19.如申请专利范围第18项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系设置成可维持以胺为主之硷性水性溶剂混合物中之水浓度稳定经历一段至少24小时之长时间。20.如申请专利范围第19项之系统,其中,该控制单元包含一抽样系统、至少一感测器、一带有混合器之反应容器、以及一试剂配送系统设置于壳体内部之一体成形模组。21.如申请专利范围第20项之系统,其中,该抽样系统系配置成可由该以胺为主之硷性水性溶剂混合物之旁支回路之流动流捕捉试样。22.如申请专利范围第20项之系统,其中,该带有混合器之反应容器系构成且配置成容纳以胺为主之硷性水性溶剂混合物试样以及多达三种分析试剂。23.如申请专利范围第22项之系统,其中,该分析试剂包括滴定剂及清洁溶剂。24.如申请专利范围第20项之系统,其中,该试剂配送系统包括复数个玻璃吸量管以及一数位线性致动控制器用以以控制方式由吸量管配送试剂。25.如申请专利范围第24项之系统,其中,该使用流体之处理设施包含一使用流体之半导体制造工具,以及该分析单元及控制单元系位于工具内部。26.如申请专利范围第11项之系统,其中,该浴包含循环浴。27.如申请专利范围第11项之系统,其中,该浴包含非循环浴。28.如申请专利范围第7项之系统,包含一并联显示单元提供相对于分析器单元之多余功能,其中该并联显示单元适合相对于分析器单元定位于远端。29.如申请专利范围第7项之系统,其系整合于处理设施之一处理工具。30.如申请专利范围第7项之系统,其系于一种选自(i)安装于壁面之配置,以及(ii)自由竖立配置组成的组群中之配置具体实施。31.如申请专利范围第7项之系统,其中,该分析器单元包含运算单元以及一显示器,其可供目测观察运算单元之输出资料。32.如申请专利范围第7项之系统,其中,该多成分流体包含N-甲基咯啶酮及水。33.如申请专利范围第32项之系统,其中,该分析器单元系构造及配置成可对多成分流体之水进行卡尔费雪滴定分析。34.如申请专利范围第33项之系统,进一步包含电流计量侦测装置供侦测卡尔费雪滴定终点。35.如申请专利范围第34项之系统,其中,该电流计量侦测装置包含铂指示剂电极系以供电关系耦合恒定电流供应源。36.如申请专利范围第32项之系统,进一步包含于往返流体移送多成分流体试样至分析器单元之装置。37.如申请专利范围第36项之系统,进一步包含于移送试样至分析器单元前乾燥往返流体之装置。38.如申请专利范围第24项之系统,其中,该吸量管包含三根吸量管,分别含有卡尔费雪溶剂K于第一根吸量管,甲醇于第二根吸量管及卡尔费雪滴定剂K于第三根吸量管。39.如申请专利范围第7项之系统,其中,该分析器单元包含运算装置,其储存参数用以进行特定分析顺序、找出分析终点、计算与报告分析结果。40.如申请专利范围第39项之系统,其中,该分析器单元包含显示装置,其可供输出该分析结果。41.如申请专利范围第39项之系统,其中,该分析器单元包括显示装置,该显示装置选择性呈现设定画面、校准画面、服务画面、资料画面、运行画面及开机画面。42.如申请专利范围第38项之系统,其中,该分析器单元包含一反应容器,于反应容器中可用以于容器内进行滴定反应,以及该分析器单元及控制单元系构造及配置成可进行一系列步骤,包含由流至该使用流体之处理设施之多成分流体抽样、使用滴定剂试剂滴定试样、排空反应容器,以及使用甲醇冲洗反应容器。43.如申请专利范围第39项之系统,其中,该分析包含卡尔费雪滴定分析多成分流体所含水份,以及其中该分析器单元及控制单元系构造且配置成可进行一系列步骤,包含将用以达到卡尔费雪滴定分析终点之滴定剂容积转成该多成分流体中之水浓度单位。44.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造及配置成使用经由试样大小、滴定试剂浓度、滴定反应化学计量以及要求之结果单位决定之计算因数进行该系列步骤。45.如申请专利范围第44项之系统,其中,该计算因数系如下测定:计算因数=(CtitRRUMW)/Vsamp其中:Ctit=滴定剂浓度(莫耳/升)RR=反应比(与各莫耳滴定剂反应之试样莫耳数)U=单位因数(使用选自「1」之値表示克/升,「0.1」表示%,以及「1000」表示毫克/升)MW=试样种类之分子量Vsamp=取样容积(毫升)。46.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造及配置成可进行涉及制程校准之顺序。47.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造及配置成可进行该顺序,且输出该多成分流体中之水浓度之视讯显示器输出。48.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造及配置成可选择性变更多成分流体之抽样速率。49.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造与配置成可选择性平滑得自卡尔费雪滴定之滴定反应曲线,俾改良测得之多成分流体中之水浓度之一致性。50.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造与配置成使用反折点演算法决定卡尔费雪滴定终点。51.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造与配置成使用选自SEEK、SETPOINT及SEEK/SET终点演算法组成的组群之演算法,决定卡尔费雪滴定终点。52.如申请专利范围第43项之系统,其中,该分析器单元及控制单元系构造与配置成由卡尔费雪滴定决定之滴定资料输入试算表。53.如申请专利范围第7项之系统,其中,该实时方法系选自卡尔费雪滴定、红外光频率起伏波动之光谱分析、近红外光频率起伏波动之光谱分析、多成分流体导电性测定、多成分流体之超音波能反应、多成分流体或其组成分之紫外光反应、多成分流体之气体物种之MEMs侦测、多成分流体之气体物种之热堆侦测、以及多成分流体之液体物种之基于电化学电池之侦测组成的组群。54.如申请专利范围第7项之系统,其中,该多成分流体包含一种化学机械平坦化组成物。55.一种于包含使用过氧化氢之处理设施之使用点产生过氧化氢之系统,该系统包含一电化学电池,其系构造及配置成用以产生过氧化氢,以及包含一过氧化氢监视与浓度控制总成,其包括一卡尔费雪分析单元,包含由电化学电池抽样流体之装置以及藉卡尔费雪分析分析试样之装置,其中该过氧化氢监视与浓度控制总成包括卡尔费雪分析之滴定剂来源,以及基于卡尔费雪分析实时测定过氧化氢浓度之装置。56.如申请专利范围第55项之系统,其中,该电化学电池包含一恒定电流电源,一工作电极,其包含一阴极包括经烧结之碳/PTFE复合圆盘接触镍铬筛网元件,以及一阳极,该阳极系由一种选自石墨及Pb/PbO2组成的组群之材料制成。57.如申请专利范围第55项之系统,其中,该电化学电池系构造及配置成可透过过氧化氢阴离子而还原氧化成为过氧化物。58.如申请专利范围第55项之系统,其中,该过氧化氢监视与浓度控制总成系构造与配置成可使用过锰酸盐进行卡尔费雪滴定。59.如申请专利范围第55项之系统,其中,该过氧化氢监视与浓度控制总成系构造与配置成使用硫酸铈铵进行卡尔费雪滴定。60.如申请专利范围第55项之系统,其中,该过氧化氢监视与浓度控制总成系构造与配置成使用过渡金属盐进行卡尔费雪滴定。61.如申请专利范围第55项之系统,其中,该过氧化氢监视与浓度控制总成系构造与配置成提供由电化学电池收集之流体中之过氧化氢浓度输出値。62.如申请专利范围第61项之系统,进一步包含当使用过氧化氢之处理设施以某种比率回应于过氧化氢之输出浓度时,添加由电化学电池产生之含过氧化氢气体至化学机械平坦化组成物之装置。63.一种于包含使用羟基胺之处理设施之使用点产生羟基胺之系统,该系统包含一电化学电池,其系构造及配置成用以产生羟基胺,以及包含一羟基胺监视与浓度控制总成,其包括一卡尔费雪分析单元,包含由电化学电池抽样流体之装置以及藉卡尔费雪分析分析试样之装置,其中,该羟基胺监视与浓度控制总成包括卡尔费雪分析之滴定剂来源,以及基于卡尔费雪分析实时测定羟基胺浓度之装置。64.如申请专利范围第63项之系统,其中,该电化学电池包含汞齐电极以及玻璃碳电极带有由聚伸苯基二胺于硝酸制成之聚合物薄膜。65.如申请专利范围第63项之系统,其中,该卡尔费雪滴定系使用过锰酸盐作为滴定剂进行。66.如申请专利范围第63项之系统,其中,该基于卡尔费雪分析实时测定羟基胺浓度之装置包含监视装置,其包括一氧化还原电位电极。67.如申请专利范围第63项之系统,其中,该电化学电池系构造及配置成用以由氨及氧于水溶液生成羟基胺。68.一种于使用点生成一种选自羟基胺及组成之组群之活性试剂之系统,该使用点包含一配置用于使用该活性试剂之半导体制造设施,该系统包含(i)于该使用点以电化学方式生成活性剂之装置,(ii)于电化学电池以及于使用点同时实时制程监视此等化学品浓度之装置,该装置(i)及(ii)包括一用于成生与监控活性试剂之卡尔费雪电化学电池平台。69.一种多成分流体组成物监视与组成控制系统,包含:进行成分分析之装置,此装置系经由滴定或其它分析程序,而对多成分流体之一或多种重要成分进行成分分析;以及,运算装置,其系构造且配置成可测定且以回应方式调整该多成分流体组成物中之一或多种成分之相对含量或比例,俾维持多成分流体组成物之预定组成特性。70.如申请专利范围第69项之系统,其系使用该具有预定组成特性之多成分流体而与一半导体制造设施呈多成分流体流连通而耦合。71.如申请专利范围第70项之系统,其中,该多成分流体系选自半水性溶剂组成物与非水性流体组成物组成的组群。72.如申请专利范围第71项之系统,其中,该多成分流体为半水性溶剂组成物。73.如申请专利范围第72项之系统,其中,该半导体制造设施包括一制程工具,该制程工具系用以由半导体装置结构去除光阻及蚀刻后残余物,以及包括流动装置,该装置系用以让多成分流体流至半导体装置结构供进行去除用。74.一种监视与组成控制用于处理设施之多成分流体之方法,该方法包含以下步骤:(a)经由对一或多种重要成分进行滴定或其它分析程序,而进行多成分流体之实时成分分析,以及(b)以运算方式实时决定且以回应方式实时调整该多成分流体组成物中之一或多种成分之相对含量或比例,俾维持用于该使用流体处理设施之多成分流体组成物之预定组成特性。75.如申请专利范围第74项之方法,其中,该处理设施包含一种半导体制造设施,以及该分析程序包含一种选自卡尔费雪滴定、红外光频率起伏波动之光谱分析、近红外光频率起伏波动之光谱分析、多成分流体导电性测定、多成分流体之超音波能反应、多成分流体或其组成分之紫外光反应、多成分流体之气体物种之MEMs侦测、多成分流体之气体物种之热堆侦测、以及多成分流体之液体物种之基于电化学电池之侦测组成的组群。76.如申请专利范围第75项之方法,其中,该多成分流体系用于半导体制造设施用于一种选自蚀刻、化学机械平坦化(CMP)、微影术、化学气相沉积、旋涂施用、超临界流体清洁操作、晶圆溶剂乾燥操作以及光阻与蚀刻后残余物之去除组成之组群之处理。77.如申请专利范围第75项之方法,其中,该多成分流体系用于半导体制造设施进行光阻及蚀刻后残余物之去除。78.如申请专利范围第75项之方法,其中,该多成分流体系选自半水性溶剂组成物与非水性流体组成物组成的组群。79.如申请专利范围第78项之方法,其中,该多成分流体为一种包含水及光阻去除溶剂之半水性溶剂组成物。80.一种流体利用与管理方法,包括提供一种使用多成分流体之使用流体之处理设施,且维持多成分流体中之一或多种选定物种浓度于该多成分流体用于使用流体之处理设施之期望浓度,该方法系经由使用一种实时方法监视多成分流体之一或多种成分浓度,以及比较该方法结果与预先建立之规格、且以回应方式视需要地配送一或多种成分至该多成分流体,俾维持用于使用流体之处理设施之该多成分流体中该一或多种成分于预定浓度。81.如申请专利范围第80项之方法,其中,该使用流体之处理设施包含由半导体装置结构移除光阻及蚀刻后材料。82.如申请专利范围第80项之方法,其中,该多成分流体系选自半水性溶剂组成物与非水性流体组成物组成的组群。83.如申请专利范围第82项之方法,其中,该多成分流体为一种半水性溶剂组成物,以及水为该多成分流体中被监视的成分。84.如申请专利范围第83项之方法,其包含由多成分流体浴中抽样多成分流体,由该浴中流体被撤取且流至该使用流体之处理设施。85.如申请专利范围第84项之方法,包含对由浴中撤取之流体进行卡尔费雪滴定。86.如申请专利范围第85项之方法,其中,该预先建立之规格包括被监视之浴容积、监视频率、以及用于校准之滴定计算因数。87.如申请专利范围第86项之方法,包含供应进行卡尔费雪滴定用试剂。88.如申请专利范围第87项之方法,进一步包含用以进行卡尔费雪滴定之前置滴定乾燥试剂。89.如申请专利范围第88项之方法,进一步包含测定卡尔费雪滴定终点。90.如申请专利范围第89项之方法,包含使用双铂感测器测定卡尔费雪滴定终点。91.如申请专利范围第90项之方法,其中,该多成分流体包含一种以胺为主之硷性水性溶剂混合物。92.如申请专利范围第91项之方法,包含于以胺为主之硷性水性溶剂混合物维持稳定水浓度经历至少24小时之一段长时间。93.如申请专利范围第92项之方法,包含使用一控制单元控制溶剂混合物之水浓度,该控制单元包含一抽样系统、至少一感测器、一带有混合器之反应容器、以及一试剂配送系统设置于壳体内部之整合一体模组内。94.如申请专利范围第93项之方法,包含由该以胺为主之硷性水性溶剂混合物之旁支回路之流动流捕捉试样。95.如申请专利范围第93项之方法,包含于专用反应区段混合该以胺为主之硷性水性溶剂混合物试样与分析试剂。96.如申请专利范围第95项之方法,其中,该分析试剂包括滴定剂及清洁溶剂。97.如申请专利范围第93项之方法,包含设置一试剂配送系统,其包括复数个玻璃吸量管以及一数位线性致动器控制器,该控制器系用以以控制方式由吸量管配送试剂供进行多成分流体之分析。98.如申请专利范围第97项之方法,其中,该使用流体之处理设施包含一种使用流体之半导体制造工具。99.如申请专利范围第84项之方法,其中,该浴包含循环浴。100.如申请专利范围第84项之方法,其中,该浴包含非循环浴。101.如申请专利范围第80项之方法,包含设置多个输出显示单元提供输出分析结果之多余功能,以及定位各别输出显示单元彼此位于远端位置。102.如申请专利范围第80项之方法,其中,该监视与比较步骤系藉整合于该处理设施之处理工具之自动化装置进行。103.如申请专利范围第102项之方法,其中,该自动化装置系布署成选自(i)壁面安装配置,以及(ii)自由竖立配置组成的组群之配置。104.如申请专利范围第102项之方法,其中,该自动化装置包括一运算装置以及一供视觉观察输出资料用之显示器。105.如申请专利范围第80项之方法,其中,该多成分流体包含N-甲基咯啶酮及水。106.如申请专利范围第105项之方法,包含进行多成分流体之水含量之卡尔费雪滴定分析。107.如申请专利范围第106项之方法,进一步包含以电流计量方式侦测卡尔费雪滴定终点。108.如申请专利范围第107项之方法,其中,该电流计量侦测步骤包含使用电流计侦测装置,其包含铂指示剂电极以供电关系耦合恒定电流供应源。109.如申请专利范围第105项之方法,进一步包含于往返流体移送多成分流体试样至分析区段。110.如申请专利范围第109项之方法,进一步包含于运送试样至分析区段前乾燥往返流体。111.如申请专利范围第97项之方法,其中,该吸量管包含三根吸量管,分别含有卡尔费雪溶剂K于第一根吸量管,甲醇于第二根吸量管及卡尔费雪滴定剂K于第三根吸量管。112.如申请专利范围第80项之方法,其中,该监视与比较步骤包含进行特定分析顺序,找出分析终点,计算与报告分析结果。113.如申请专利范围第112项之方法,其中,该报告步骤包含输出分析结果。114.如申请专利范围第112项之方法,其中,该监视与比较步骤包含设置显示装置,其选择性地呈现设定画面、校准画面、服务画面、资料画面、运行画面及开机画面。115.如申请专利范围第111项之方法,其中,该监视与比较步骤包含设置一反应容器且于其中进行滴定反应,由流至该使用流体之处理设施之多成分流体抽样,使用滴定剂滴定试样,排空反应容器,以及使用甲醇冲洗反应容器。116.如申请专利范围第112项之方法,其中,该监视与比较步骤包含卡尔费雪滴定分析多成分流体之水含量,以及将用以达到卡尔费雪滴定终点之滴定剂使用容积转换成多成分流体之水浓度单位。117.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含使用经由试样大小、滴定试剂浓度、滴定反应化学计量以及要求之结果单位决定之计算因数。118.如申请专利范围第117项之方法,其中,该计算因数系如下测定:计算因数=(CtitRRUMW)/Vsamp其中:Ctit=滴定剂浓度(莫耳/升)RR=反应比(与各莫耳滴定剂反应之试样莫耳数)U=单位因数(使用选自「1」之値表示克/升,「0.1」表示%,以及「1000」表示毫克/升)MW=试样种类之分子量Vsamp=取样容积(毫升)。119.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含制程校准。120.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含输出多成分流体之水浓度之视觉显示输出。121.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含选择性变更多成分流体之抽样率。122.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含选择性平滑得自卡尔费雪滴定之滴定反应曲线,俾改良于多成分流体测得之水浓度之一致性。123.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含使用一种反折点演算法测定卡尔费雪滴定终点。124.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含使用一种选自SEEK、SETPOINT及SEEK/SET终点演算法组成的组群之演算法,测定卡尔费雪滴定终点。125.如申请专利范围第116项之方法,其中,该监视与比较步骤包含将卡尔费雪滴定所得滴定资料输入试算表。126.如申请专利范围第80项之方法,其中,该实时方法系选自卡尔费雪滴定、红外光频率起伏波动之光谱分析、近红外光频率起伏波动之光谱分析、多成分流体导电性测定、多成分流体之超音波能反应、多成分流体或其组成分之紫外光反应、多成分流体之气体物种之MEMs侦测、多成分流体之气体物种之热堆侦测、以及多成分流体之液体物种之基于电化学电池之侦测组成的组群。127.如申请专利范围第80项之方法,其中,该多成分流体包含一种选自化学机械平坦化组成物及光阻去除组成物组成的组群之流体。128.一种于包含使用过氧化氢之处理设施之使用点生成过氧化氢之方法,该方法包含于一电化学电池生成过氧化氢,以及监视于一卡尔费雪滴定分析单元之过氧化氢,包含由该电化学电池抽样流体,且藉卡尔费雪分析分析试样,于卡尔费雪分析使用滴定剂滴定抽样流体之过氧化氢,基于该卡尔费雪分析实时测定过氧化氢浓度。129.如申请专利范围第128项之方法,其中,该电化学电池包含一恒定电流电源,一工作电极,其包含一阴极包括经烧结之碳/PTFE复合圆盘接触镍铬筛网元件,以及一阳极,该阳极系由一种选自石墨及Pb/PbO2组成的组群之材料制成。130.如申请专利范围第128项之方法,其中,该电化学电池系构造及配置成可透过过氧化氢阴离子而还原氧成为过氧化物。131.如申请专利范围第128项之方法,其中,该卡尔费雪分析包含使用过锰酸盐滴定。132.如申请专利范围第128项之方法,其中,该卡尔费雪分析包含使用硫酸铈铵滴定。133.如申请专利范围第128项之方法,其中,该卡尔费雪分析包含使用过渡金属盐滴定。134.如申请专利范围第128项之方法,其中,该测定步骤提供得自电化学电池之流体中之过氧化氢浓度之输出。135.如申请专利范围第134项之方法,进一步包含以回应于过氧化氢输出浓度之速率,添加由该电化学电池产生之含过氧化氢气体至一种化学机械平坦化组成物。136.一种于包含使用羟基胺之处理设施之使用点生成羟基胺之方法,该方法包含于一电化学电池生成羟基胺,以及监视与控制羟基胺浓度,包括由该电化学电池抽样流体以及藉卡尔费雪分析分析该抽样流体,其中该羟基胺监视与浓度控制步骤包括基于卡尔费雪分析实时测定羟基胺浓度。137.如申请专利范围第136项之方法,其中,该电化学电池包含汞齐电极以及玻璃碳电极带有由聚伸苯基二胺于硝酸制成之聚合物薄膜。138.如申请专利范围第136项之方法,其中,该卡尔费雪滴定系使用过锰酸盐作为滴定剂进行。139.如申请专利范围第136项之方法,其中,该基于卡尔费雪分析,实时测定羟基胺浓度包含使用一种包括氧化-还原电位电极之装置监视。140.如申请专利范围第136项之方法,其中,该电化学电池系构造且配置成可于水溶液由氨及氧生成羟基胺。141.一种于一使用点生成一种选自羟基胺及组成的组群之活性试剂之方法,该使用点包含一种配置用于使用该活性试剂之半导体制造设施,其中该方法包含(i)于使用点以电化学方式生成活性试剂,(ii)使用供产生与监视活性试剂二者用之卡尔费雪电化学电池平台,同时实时监视于电化学电池以及于使用点二者之活性试剂浓度。142.一种多成分流体组成物监视与组成控制方法,包含藉滴定或其它分析程序对多成分流体之一或多种重要成分进行组成分分析,以及以运算方式决定且以回应方式调整该多成分流体组成物中之一或多种成分之相对含量或比例,俾维持该多成分流体组成物之预定组成特性。143.如申请专利范围第142项之方法,其系使用该具有预定组成特性之多成分流体而与一半导体制造设施呈多成分流体流连通而耦合。144.如申请专利范围第143项之方法,其中,该多成分流体包含一种半水性溶剂组成物。145.如申请专利范围第144项之方法,其中,该一或多种成分包含水。146.如申请专利范围第145项之方法,其中,该半导体制造方法包括由半导体装置结构去除光阻及蚀刻后残余物,以及将该多成分流体流至该半导体装置结构供进行去除用。图式简单说明:图1为根据本发明之一具体实施例之流体成分监视与浓度维持系统之示意代表图。图2A为图1之流体成分监视与浓度维持系统之示意代表图,利用壁面安装托架而安装于半导体制造设施之壁面。图2B为根据本发明之第二具体实施例之流体成分监视与浓度维持系统之示意代表图,其利用单一自容式柜用以安装系统,该柜视需要地可配备有轮,俾辅助重新定位作为半导体制造设施之行动系统;或另外,该柜可制造成无轮,俾提供半永久性架设系统,该系统系固定定位于半导体制造设施。图3显示流体成分监视与浓度维持系统之范例配置,带有利用本发明之壁面安装具体实施例之快速回路循环浴配置。图4显示布署成非循环浴组态之流体成分监视与浓度维持系统之范例配置。图5显示带有各别流体管线之湿化学模组。图6显示当流体成分监视与浓度维持系统被导通或重设后之开机画面。图7显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面1,亦即分析器定序器/方法。图8显示典型序列区段,显示使用条件IF用于流体成分监视与浓度维持系统。图9显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面2,亦即类比输出与继电设定点。图10显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面3,亦即校准资料/触发器。图11显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面4,亦即分析时序。图12显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面5及7之代表性画面,亦即终点参数。图13显示流体成分监视与浓度维持系统之设定画面6及8之代表性画面,亦即分析控制。图14为曲线图显示图12及13之设定画面5-8界定之数値。图15显示流体成分监视与浓度维持系统之服务画面1。图16显示流体成分监视与浓度维持系统之服务画面2。图17显示流体成分监视与浓度维持系统之第一资料画面。图18显示流体成分监视与浓度维持系统之第二资料画面。图19显示流体成分监视与浓度维持系统之运行画面。图20显示分析器开始分析顺序后出现之画面,指示于时间下方分析顺序之目前步骤(「S1」)。图21显示分析完成后出现之画面,识别水浓度,以达成终点所需滴定剂之毫升数表示。图22为实时分析曲线1,显示感测器mV之快速变化指示缺乏试样。图23为实时分析曲线2,显示「平坦」感测器反应,若感测器mV系于非预期范围,则该反应器出现指示感测器、连接、前置放大器或其它电子错误缺陷;若感测器mV维持于正常终点前期范围,则该反应器出现指示试剂未进入反应容器。图24为实时分析曲线3,反映出一种情况,该情况常出现于设定窗之终点解译参数已经改变,但化学仍维持相同之时,该现象指示设定参数须审慎检讨;或感测器漂移出正常终点窗之外而视情况需要必须被清除或替代。图25显示分析完成后出现的运行画面,显示[OPTIMIZE]选单选项,允许让终点变最理想化且使用最小及最大增量。图26显示最理想画面,可选择有最大梯度(最强反折点),如此让终点以及找到此终点之增量变成最理想化。图27显示使用卡尔费雪分析托盘制造过氧化氢及监视之装置。图28为滴定剂容积呈使用硫酸铈铵之滴定周期之函数变化之线图,且显示2.5%过氧化物测定之再现性。 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