| 主权项 |
1.一种光阻层(12)之涂布方法,其中将该光阻层(12)涂布至一基础层(24,104)且选择性辐照及显影,其中该光阻层以固态来涂布或黏性黏合至该基础层(24,104),其中该光阻层在涂布至该基础层(24,104)前以一保护材料(14,16)覆盖。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护材料(14,16)可防止安排在该光阻层(12)处之黏着剂或包含在该光阻层中之黏着剂硬化;及/或其中该保护材料(14,16)可在涂布前移除;及/或其中使用一安排在一半导体基材上之层或一半导体基材作为该基础层(24,104);及/或其中以电磁辐射来辐照该光阻层(12)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中在涂布前10分钟移除该保护材料(14,16)。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该电磁辐射可选自紫外光辐射、X-射线辐射、粒子辐射其中之一。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该粒子辐射为电子辐射或离子辐射。6.一种图案化如申请专利范围第1或2项之光阻层(12)的方法,其中所使用的光阻层(12)包含一黏着剂或包含一黏着力会在辐照期间减少或增加之黏着剂;及/或其中该黏着力可减少多于30%或多于50%或多于90%,或其中该黏着力可增加多于50%或多于100%,其系相对于在该基础区域之黏着力。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该基础区域系为矽基材或聚醯亚胺基材。8.如申请专利范围第6项之方法,其中在显影后余留在该基础层(24)上之光阻层(12)的区域(32至36)相较于无辐照的光阻层具有减低的黏着力。9.如申请专利范围第6项之方法,其中以一黏性区域来剥除在显影后余留在该基础层(24)上之光阻层(12)的区域(32至36);而该黏性区域在余留区域(32至36)处的黏着力大于该余留区域相关于该基础层(24,104)之黏着力。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该黏性区域为一黏性胶带或黏性薄片。11.如申请专利范围第6项之方法,其中以一溶剂来移除在显影后余留在该基础层(24,104)上之光阻层(12)的区域(32至36)。12.如申请专利范围第6项之方法,其中使用一有机溶剂作为显影剂。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该有机溶剂为N-甲基咯烷酮或二甲基亚。14.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该光阻层(12)可藉由辅助区域(14)之辅助来涂布,该辅助区域可以比对在基础层(24)处之无辐照光阻层的黏着力还小之黏着力来黏附至该光阻层(12)。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该辅助区域(14)为一辅助胶带或一辅助薄片。16.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该光阻层(12)在一涂布操作中以大于30微米或大于50微米或大于100微米之厚度(D1)来涂布。17.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该基础层(104)可根据在显影后所余留的光阻层(12)区域(132至136)来图案化;或其中可将一材料涂布至该基础层(24)之未覆盖的区域,该未覆盖的区域则安排在该光阻层(12)显影后所余留的区域(32至36)间;或其中该基础层(104)可根据在显影后所余留的光阻层(12)区域(132至136)来选择性地掺杂。18.如申请专利范围第17项之方法,其中系以乾蚀刻方法或以湿式化学蚀刻方法来图案化。19.如申请专利范围第17项之方法,其中系利用电镀、化学或化学-物理或物理涂布法来涂布。20.一种黏着力会在辐照期间减少或增加之黏着剂(12)的用途;或一种含有此黏着剂的黏性胶带(10)或黏性薄片之用途,其可使用来选择性图案化一层(104),或用来选择性将一材料涂布至一层(24),或用于如申请专利范围第1或2项之方法的选择性的层处理。21.一种黏性胶带或黏性薄片之用途,其可用来移除一光阻层(12)之残余物,或是一利用如申请专利范围第1或2项之方法来图案化之光阻层(12)。22.一种黏性胶带(10)或黏性薄片,其具有一黏着力会在辐照期间减少或增加的黏着层(12)、至少一可防止或减低辐射反射的抗反射层(16),以及具有一外层(14),其安排在该黏着层(12)的一边上且以少于2牛顿/20毫米或少于1牛顿/20毫米或少于0.25牛顿/20毫米的黏合力来黏附至该黏着层(12);将进一步的外层安排在该黏着层(12)的其它边上,该进一步的外层以少于2牛顿/20毫米或少于1牛顿/20毫米或少于0.25牛顿/20毫米的黏合力来黏附至该黏着层(12)。23.如申请专利范围第22项之黏性胶带(10)或黏性薄片,其中该进一步的外层可藉由一卷绕的黏性胶带(10)之另一个部分的外层(12)来形成,或可藉由包含至少二片黏性薄片的黏性薄片堆叠之另一片黏性薄片的外层来形成;及/或其中该黏着层(12)的材料合适于选择性曝光及显影以制造一积体电路装置。24.如申请专利范围第22项之黏性胶带(10)或黏性薄片,其中将该抗反射层(16)安排在该黏着层(12)中或在该黏着层(12)处;及/或该抗反射层(16)具有一与黏着层(12)不同的折射率,该抗反射层(16)的折射率较佳等于在图案化期间毗连之层的折射率之几何平均;及/或该抗反射层(16)的厚度较佳等于n/4,其中为辐射波长及n为抗反射层(16)的折射率;及/或该抗反射层(16)具有一比该黏着层(12)还高的辐射吸收率。25.一种光阻层,其系使用在如申请专利范围第1或2项之方法中之光阻层,该光阻层(12)包括一固体材料或包含一固体材料;及该光阻层(12)材料合适于选择性显影及曝光,以制造一积体电路装置;其中将该光阻层(12)安排成可在一载体上自由移动;或可黏性黏合至一载体材料或一保护材料(14,16),且可将其从该光阻层(12)剥除而没有破坏或损伤该光阻层。26.如申请专利范围第25项之光阻层(12),其中该保护材料(14,16)为一种以少于2牛顿/20毫米或少于1牛顿/20毫米或少于0.25牛顿/20毫米的黏合力黏附至该光阻层(12)之黏性胶带或薄片。27.一种光阻层(12)之涂布方法,其中将该光阻层(12)涂布至一基础层(24,104)且选择性辐照及显影,其中该光阻层以固态来涂布或黏性黏合至该基础层(24,104),其中早在将该光阻层(12)涂布至该基础层前将一抗反射层(16)提供在该光阻层(12)中或光阻层(12)处,该抗反射层可防止或减低该辐射在该光阻层(12)之反射。图式简单说明:第1图显示出一黏性胶带。第2A及2B图显示出图案化一在一积体电路安排上之光阻层及一电镀沉积。第3A至3C图显示出图案化一在一积体电路安排上之光阻层及随后图案化该层。 |
