| 主权项 |
1.一种高密度覆晶封装基板,包括:一基板,具有一第一表面及一第二表面,且具有一晶片放置开口,该晶片放置开口具有一晶片放置区、一点胶区及一抽真空区,其中该点胶区及该抽真空区系与该晶片放置区相连,并为沿该晶片放置区之对角往外延伸之一对区域;一薄膜内连线层,覆于该基板之该第一表面,该薄膜内连线层具有一第一介电层以及一第一导线层,该第一介电层覆于该基板之该第一表面,该第一导线层覆于该第一介电层,其中,该晶片放置开口系暴露出部份之该第一介电层,且在晶片放置开口所暴露出之部份的该第一介电层内更具有复数个凸块开口;一积层结构层,覆于该薄膜内连线层,具有复数个第二介电层以及复数个第二导线层彼此交替,每二个相邻之该些第二导线层之间具有一该第二介电层;以及一防焊层,覆于该积层结构层,该防焊层具有复数个开口,以暴露出部份之最远离该基板之该第二导线层,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之热膨胀系数大于该基板之热膨胀系数,且该积层结构层之热膨胀系数大于该基板之热膨胀系数。2.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该晶片放置开口之该晶片放置区系呈略大于欲贴附之一覆晶晶片的形状。3.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该第一导线层及该些第二导线层的线路图案在对应该晶片放置开口的边缘处系呈波浪状。4.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括有环氧基的聚合物。5.如申请专利范围第4项所述之高密度覆晶封装基板,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括聚亚醯胺。6.如申请专利范围第4项所述之高密度覆晶封装基板,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括聚四氟乙烯。7.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该基板之材质包括矽。8.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该基板之材质包括玻璃。9.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该基板之材质包括陶瓷。10.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,其中该基板材质为金属。11.如申请专利范围第1项所述之高密度覆晶封装基板,更包括一贯孔,位于该基板之该晶片放置区之外,贯穿该第一介电层及与该第一介电层相邻之该第二介电层以接触最接近该基板之该第二导线层,并接触该基板,并同时接触该第一导线层。12.如申请专利范围第11项所述之高密度覆晶封装基板,其中该基板系作为接地点。13.一种高密度覆晶球格阵列式封装,包括:一基板,具有一第一表面及一第二表面,且该具有一晶片放置开口,该晶片放置开口具有一晶片放置区、一点胶区及一抽真空区,其中该点胶区及该抽真空区系与该晶片放置区相连,并为沿该晶片放置区之对角往外延伸之一对区域;一薄膜内连线层,覆于该基板之该第一表面,该薄膜内连线层具有一第一介电层以及一第一导线层,该第一介电层覆于该基板之该第一表面,该第一导线层覆于该第一介电层,其中,该晶片放置开口系暴露出部份之该第一介电层,且在晶片放置开口所暴露出之部份的该第一介电层内更具有复数个凸块开口,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之热膨胀系数大于该基板之热膨胀系数;一积层结构层,覆于该薄膜内连线层,具有复数个第二介电层以及复数个第二导线层彼此交替,每二个相邻之该些第二导线层之间具有一该第二介电层,其中该积层结构层之热膨胀系数大于该基板之热膨胀系数;一覆晶晶片,贴附于该晶片放置开口内,该覆晶晶片具有一主动表面,以及复数个凸块形成于该主动表面上,该覆晶晶片系藉由该些凸块电性连接至该些凸块开口所暴露出之该第一导线层;一防焊层,覆于该积层结构层,该防焊层具有复数个开口,以暴露出部份之最远离该基板之该第二导线层,一底胶,填入于该些凸块之间的间隙;以及复数个焊球,电性连接至该防焊开口所暴露出之部份之最远离该基板之该第二导线层。14.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该晶片放置开口之该晶片放置区系呈略大于该覆晶晶片的形状。15.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该第一导线层及该些第二导线层的线路图案在对应该晶片放置开口的边缘处系呈波浪状。16.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括有环氧基的聚合物。17.如申请专利范围第16项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括聚亚醯胺。18.如申请专利范围第16项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该薄膜内连线层之该第一介电层之材质包括聚四氟乙烯。19.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该基板之材质包括矽。20.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该基板之材质包括玻璃。21.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该基板之材质包括陶瓷。22.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该基板材质为金属。23.如申请专利范围第22项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,更包括一贯孔,位于该基板之该晶片放置区之外,贯穿该第一介电层及与该第一介电层相邻之该第二介电层以接触最接近该基板之该第二导线层及该基板,并同时接触该第一导线层。24.如申请专利范围第23项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,其中该基板系作为接地点。25.如申请专利范围第13项所述之高密度覆晶球格阵列式封装,更包括一封胶,填入于该晶片放置开口,以包覆该底胶,包围该覆晶晶片,并暴露出部份之该覆晶晶片。图式简单说明:第1~4图绘示依照本发明之较佳实施例的一种高密度覆晶封装基板之制程流程剖视图;第5图绘示依照本发明之较佳实施例的一种高密度覆晶球格阵列封装之结构剖视图;第6图绘示依照本发明之较佳实施例的晶片放置开口之一例示的平面图;以及第7图绘示依照本发明之较佳实施例的各导线层之线路图案之一例示的平面图。 |
