发明名称 发光二极体,支撑及制造方法
摘要 一种堆叠层结构形式之发光二极体,其包含至少一层无机材料所构成之层于至少一层形成基板层以及至少一层形成发射光线层之间,其中在发射光线层所发射出波长范围内印制周期性结构。同时揭示出在发光二极体之发射层波长范围内产生微结构周期之方法。该方法包含藉由溶解-胶凝处理过程沉积无机材料层于基板与发射光线层之间,以及藉由软光石版印刷法印制周期性结构于该层外侧表面上,以及使用该处理过程以制造出发光二极体。
申请公布号 TWI233699 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW092124789 申请日期 2003.09.05
申请人 康宁公司 发明人 关拉姆葛之曼;布郎星答哈尼
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 吴洛杰 台中市北区太原路2段215巷1弄8号
主权项 1.一种堆叠层结构形式之发光二极体,其包含:至少一层形成基板层,至少一层形成阳极层,至少一层孔注入层,至少一层孔透明层,至少一层形成发射光线层,至少一层电子传送层,至少一层形成阴极层,其特征在于包含:至少一层无机材料层,其沉积于至少一层形成基板层以及至少一层形成发射光线层之间,以及其中该至少一层无机层在至少一层发射光线层所发射出之光线波长范围下印制结构周期于其表面上。2.依据申请专利范围第1项之二极体,其中由无机材料制造出之至少一层为SiO2层沉积于至少一层形成基板层与至少一层形成阳极层之间。3.依据申请专利范围第1项之二极体,其中由无机材料制造出至少一层为形成阳极之一层。4.依据申请专利范围第1项之二极体,其中由无机材料制造出之至少一层为形成孔注入层之一层。5.依据申请专利范围第3项之二极体,其中至少一层形成阳极层由混合铟锡氧化物(ITO)所构成。6.依据申请专利范围第3项之二极体,其中至少一层形成阳极层由混合锑锡氧化物(ATO)所构成。7.依据申请专利范围第4项之二极体,其中至少一层形成洞孔注入层由混合铟锡氧化物(ATO)所构成。8.一种制造申请专利范围第1项二极体之支撑体,其中该支撑体包含下列堆叠层:至少一层形成基板层,SiO2层,其表面在所需要波长范围内印制具有周期性结构,以及至少一层形成阳极层。9.一种制造申请专利范围第3项二极体之支撑体,其特征为该支撑体包含下列堆叠层:至少一层形成基板层,至少一层由无机材料所构成阳极之层以及其表面在所需要波长范围下印制具有结构周期。10.一种制造申请专利范围第4项二极体之支撑体,其特征为该支撑体包含下列堆叠层:至少一层形成基板层,至少一层形成阳极层,至少一层形成孔注入层,其由无机材料所构成,以及其表面在所需要波长范围下印制具有结构周期。11.一种在发光二极体发射层波长范围内产生微结构周期之处理方法,该发光二极体包含下列堆叠层:至少一层形成基板层,至少一层形成阳极层,至少一层孔注入层,至少一层孔透明层,至少一层形成发射光线层,至少一层电子传送层,至少一层形成阴极层,其特征在于处理过程包含下列步骤:a)沉积至少一层无机材料层,其藉由溶解-胶凝沉积于至少一层形成基板层以及至少一层形成发射光线层之间,以及b)藉由软光石版印刷法印制在至少一层发射光线层所发射出之光线波长范围下印制结构周期于步骤a)沉积出之至少一层表面上。12.依据申请专利范围第11项之处理方法,其中由无机材料制造出之至少一层为SiO2层,其直接地沉积于至少一层形成基板层上。13.依据申请专利范围第11项之处理方法,其中由无机材料制造出至少一层为形成阳极层。14.依据申请专利范围第11项之处理方法,其中由无机材料制造出之至少一层为形成阳极层以及由混合铟锡氧化物(ITO)所构成。15.依据申请专利范围第13项之处理方法,其中由无机材料制造出之至少一层为一层形成阳极层以及层18由混合锑锡氧化物(ATO)所构成。16.依据申请专利范围第11项之处理方法,其中由无机材料制造出之至少一层为形成孔注入层之一层。17.依据申请专利范围第16项之处理方法,其中形成孔注入层之一层为由混合锑锡氧化物(ATO)所构成之层。18.依据申请专利范围第11项之处理方法,其中由无机材料制造出之至少一层在加热固结之前印制出。19.一种制造发光二极体之处理方法,其主要特征包含藉由申请专利范围第11项之处理过程在发光二极体之发射层所发射出光线波长范围内产生微结构周期。20.一种发光二极体显示银幕,其主要特征为该银幕包含至少一个申请专利范围第1项之发光二极体。21.一种发光二极体显示银幕,其主要特征为该银幕包含至少一个申请专利范围第8,9或10项任何一项支撑之发光二极体。图式简单说明:第一图为先前技术第一有机发光二极体(OLED)结构之示意性地断面。第二图为先前技术第二OLED结构之示意性地断面。第三图为先前技术第三OLED结构之示意性地断面。第四图为本发明OLED之示意性地断面。第五图为依据本发明第一实施例OLED之示意性地断面。第六图为依据本发明第二实施例OLED之示意性地断面。第七图为依据本发明第三实施例OLED之示意性地断面。第八图为依据本发明第四实施例OLED之示意性地断面。第九图为依据本发明第五实施例OLED之示意性地断面。第十图为依据本发明第六实施例OLED之示意性地断面。
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