发明名称 白光发光装置
摘要 一种白光发光装置,其包括半导体发光晶片、蓝绿光光致发光萤光体及红光光致发光萤光体,使蓝绿光光致发光萤光体及红光光致发光萤光体吸收半导体发光晶片发出之光线而分别激发出蓝绿光及红光,且使蓝绿光与红光混合而得到白光,因此达到演色性及发光效率高,及具有制程简化及制作成本低之白光发光装置。
申请公布号 TWI233702 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093112966 申请日期 2004.05.07
申请人 光宝科技股份有限公司 发明人 林益山;刘如熹;苏宏元
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种白光发光装置,其包括:一半导体发光晶片,其发出光线;至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体,其吸收该半导体发光晶片之光而激发出第一色光,且该M系至少为Eu、Bi、Mn、Ce、Tb、Gd、La、Mg及Sr其中之一元素,并1>x>0;及至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体,其吸收该半导体发光晶片之光而激发出第二色光,其中R至少可以为Eu、Bi及Gd其中之一元素,0<x≦0.5;其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体之第一色光与该至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体之第二色光混合成白光。2.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该半导体发光晶片所发出之光系为紫外光。3.如申请专利范围第2项所述之白光发光装置,其中该紫外光之波长主峰系介于350nm至480nm。4.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体所发出之第一色光系为蓝绿光,其波长范围为450nm至575nm。5.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体所发出之第二色光系为红光,其波长范围为585nm至640nm。6.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体系以固态反应法及化学合成法之其中一种制得。7.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体系以共沈淀法及柠檬酸盐凝胶法之其中一种制得。8.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中更包括封装胶体,更包括封装胶体,且该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O3光致发光萤光体系分别形成光致发光萤光粉体,且混合于该封装胶体,且该封装胶体封装该半导体发光晶片。9.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中该(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体系为(Ba0.9Eu0.1)Al2O4光致发光萤光体,该(Y2-xRx)O3光致发光萤光体系为(Y1.9Eu0.1)O3光致发光萤光体。10.一种白光发光装置,其包括:一半导体发光晶片,其发出光线;至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体,其吸收该半导体发光晶片之光而激发出第一色光,且该M系至少为Eu、Bi、Mn、Ce、Tb、Gd、La、Mg及Sr其中之一元素,并1>x>0;及至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体,其吸收该半导体发光晶片之光而激发出第二色光,其中R至少可以为Eu、Bi及Gd其中之一元素,0<x≦0.5;其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体之第一色光与该至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体之第二色光混合成白光。11.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该半导体发光晶片所发出之光线系为紫外光。12.如申请专利范围第11项所述之白光发光装置,其中该紫外光之波长范围系介于350nm至480nm。13.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体所发出之第一色光系为蓝绿光,其波长范围为450nm至575nm。14.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体所发出之第二色光系为红光,其波长范围为585nm至640nm。15.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体系以固态反应法及化学合成法之其中一种制得。16.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体系以共沈淀法及柠檬酸盐凝胶法之其中一种制得。17.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中更包括封装胶体,更包括封装胶体,且该至少一(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体及该至少一(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体系分别形成光致发光萤光粉体,且混合于该封装胶体,且该封装胶体封装该半导体发光晶片。18.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其中该(Ba1-xMx)Al2O4光致发光萤光体系为(Ba0.9Eu0.1)Al2O4光致发光萤光体,该(Y2-xRx)O2S光致发光萤光体系为(Y1.9Eu0.1)O2S光致发光萤光体。图式简单说明:第一图系本发明之白光发光装置示意图。第二图系本发明之(Ba1-xMx)Al2O4,(其中1>x>0,M至少为Eu, Bi, Mn, Ce, Tb, Gd, La, Mg, Sr其中之一元素)之激发光谱(excitation)及发射光谱(emission)。第三图系本发明之(Y1.9Eu0.1)O3萤光粉之激发光谱(excitation)及发射光谱(emission)。第四图系本发明之两萤光粉所得之白色混合光光谱。第五图系第五图之发射光谱以程式转换所得之色度座标图。
地址 台北市内湖区瑞光路392号22楼