发明名称 球格阵列封装构造及制造方法
摘要 一种球格阵列封装构造包含一基板、一晶片、复数个焊垫、一防焊层、复数个间隔档板、及复数个锡球。该基板具有相对之一上表面及一下表面。该晶片配置于该基板之该上表面上。该复数个焊垫配置于该基板之该下表面上,并电性连接于该晶片。该防焊层配置于该基板之该下表面。该复数个间隔档板配置于该防焊层上,位于该相邻之焊垫之间。该复数个锡球分别配置在该复数个焊垫上。
申请公布号 TWI233677 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW092129954 申请日期 2003.10.28
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 刘昇聪
分类号 H01L23/31 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人 花瑞铭 高雄市前镇区中山二路7号14楼之1
主权项 1.一种球格阵列封装构造,包含:一基板,具有相对之一上表面及一下表面;一晶片,配置于该基板之该上表面上;复数个焊垫,配置于该基板之该下表面上,并电性连接于该晶片;一防焊层,配置于该基板之该下表面;以及复数个间隔档板,配置于该防焊层上,位于该相邻之焊垫之间。2.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,另包含:复数个锡球,分别配置在该复数个焊垫上。3.依申请专利范围第2项之球格阵列封装构造,另包含:复数个助焊剂,配置于该焊垫上,用以协助该锡球附着于该焊垫。4.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该晶片系为一打线接合(Wire Bonding)之晶片。5.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该晶片系为一覆晶接合(Flip Chip)之晶片。6.依申请专利范围第4或5项之球格阵列封装构造,另包含一封胶体,包覆该晶片以及部分该基板之该上表面。7.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该间隔档板之高度系介于0.025mm与0.08mm之间。8.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该间隔档板系为环氧树脂(Epoxy)所制。9.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该间隔档板系与该防焊层为同一材质所制。10.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该复数个间隔档板系形成一连续的图案围绕于该复数个焊垫。11.依申请专利范围第10项之球格阵列封装构造,其中该图案系为格子状。12.依申请专利范围第1项之球格阵列封装构造,其中该复数个间隔档板系形成复数个非连续的图案。13.一种球格阵列封装构造之制造方法,包含下列步骤:提供一基板,具有相对之一上表面及一下表面;提供一晶片,配置于该基板之该上表面上,且电性连接至该基板之上表面;将一防焊层涂布于该基板之该下表面,并界定复数个焊垫;以及于该防焊层上形成复数个间隔档板,用以分隔该复数个焊垫。14.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,包含下列步骤:于该焊垫上形成复数个助焊剂。15.依申请专利范围第14项之球格阵列封装构造之制造方法,另包含下列步骤:提供复数个锡球,个别地定位于该焊垫上;以及将该锡球回焊。16.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该晶片系藉由一打线接合(WireBonding)技术,电性连接至该基板。17.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该晶片系藉由一覆晶(Flip Chip)接合技术,电性连接至该基板。18.依申请专利范围第16或17项之球格阵列封装构造之制造方法,另包含下列步骤:模造一封胶体,用以包覆该晶片及部分该基板之该上表面。19.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该间隔档板之高度系介于0.025mm与0.08 mm之间。20.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该间隔档板系为环氧树脂(Epoxy)所制。21.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造,其中该间隔档板系与该防焊层为同一材质所制。22.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该间隔档板系藉由一印刷制程所形成。23.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该间隔档板系藉由一光微影蚀刻制程所形成。24.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该复数个间隔档板系形成一连续的图案围绕于该复数个焊垫。25.依申请专利范围第24项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该图案系为格子状。26.依申请专利范围第13项之球格阵列封装构造之制造方法,其中该复数个间隔档板系形成复数个非连续的图案。27.一种基板,包含:相对之一上表面及一下表面;复数个焊垫,配置于该下表面上;一防焊层,配置于该下表面;以及复数个间隔档板,配置于该防焊层上,位于该相邻之焊垫之间。28.依申请专利范围第27项之基板,另包含:复数个锡球,分别配置在该复数个焊垫上。29.依申请专利范围第28项之基板,另包含:复数个助焊剂,配置于该焊垫上,用以协助该锡球附着于该焊垫。30.依申请专利范围第27项之基板,其中该间隔档板之高度系介于0.025mm与0.08mm之间。31.依申请专利范围第27项之基板,其中该间隔档板系为环氧树脂(Epoxy)所制。32.依申请专利范围第27项之基板,其中该间隔档板系与该防焊层为同一材质所制。33.依申请专利范围第27项之基板,其中该复数个间隔档板系形成一连续的图案围绕于该复数个焊垫。34.依申请专利范围第28项之基板,其中该图案系为格子状。35.依申请专利范围第27项之基板,其中该复数个间隔档板系形成复数个非连续的图案。图式简单说明:第1图为先前技术之打线格阵列封装构造之剖面示意图,显示该球格阵列封装构造安置于一主机板。第2图为第1图之A区域之局部放大之示意图。第3图显示第2图之该锡球经过回焊程序后,该锡球附着于该焊垫之局部放大之示意图。第4图为根据本发明之一实施例之球格阵列封装构造之下平面示意图。第5图为沿着第4图中该球格阵列封装构造之剖面线5-5之剖面示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号