| 主权项 |
1.一种主动矩阵式液晶显示装置,其中复数个扫描线和复数个讯号线以扫描线彼此交错于讯号线的方向阵列排列于一绝缘基材上,包含:在相邻扫描线之间及/或相邻讯号线之间形成每个绝缘膜图样;在绝缘膜图样上和个别绝缘膜图样形成的导线上,以及在绝缘膜图样与导线之间的空间内形成上层绝缘膜,该上层绝缘膜在相等或大约相等的高度上具有连续顶端表面;以及在上层绝缘膜上形成像素电极;且该上层绝缘膜的厚度是绝缘膜图样与相邻与该绝缘膜图样的线间之空间的1/2或以上。2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中由具有1.4-1.95折射指数的透明薄膜形成每一绝缘膜图样。3.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,进一步包含位于绝缘膜图样与绝缘基材之间以及线上的下层绝缘膜,该下层绝缘膜的制造材料与绝缘膜图样与上层绝缘膜的材料不同。4.一种制造主动矩阵式液晶显示装置的方法,其中复数个扫描线和复数个讯号线以扫描线和讯号线彼此交错的方向阵列排列于一绝缘基材上,包含:在相邻扫描线之间及/或相邻讯号线之间形成绝缘膜图样;以及在绝缘膜和导线上以及绝缘膜与导线之间的空间内形成上层绝缘膜,如此上层绝缘膜会有实质上相同高度的连续顶端表面;且该上层绝缘膜的厚度是绝缘膜图样与相邻与该绝缘膜图样的线间之空间的1/2或以上。5.如申请专利范围第4项之方法,进一步包含在形成绝缘膜图样之前,形成制造材料与绝缘膜图样和上层绝缘膜的材料不同之下层绝缘膜。6.如申请专利范围第4项之方法,进一步包含在形成上层绝缘膜之后,利用下向蚀刻方法将上层绝缘膜的厚度变薄。图式简单说明:图1为依照本发明一具体实施例的液晶显示装置之重要部份简单平面图;图2为依照本发明其他具体实施例的液晶显示装置之重要部份简单平面图;图3A、3B、3C和3D为显示图1内显示的液晶显示装置之生产方法流程图,图3D为取自图1的3D-3D线之截面图;图4A、4B、4C、4D和4E为显示依照本发明其他具体实施例的液晶显示装置之生产方法流程图;图5A、5B、5C、5D和5E为显示图2内显示的液晶显示装置之生产方法流程图,图5E为取自图2的5E-5E线之截面图;图6为解释本发明内绝缘膜图样和导线间之空间与上层绝缘膜的薄膜厚度之间关系的说明;图7A和7B为解释为何在本发明内形成下层绝缘膜的理由之说明;图8A为传统液晶显示装置的重要部份简单平面图,图8B为取自图8A的8B-8B线之截面图;图9A为传统液晶显示装置的重要部份简单平面图,图9B为取自图9A的9B-9B线之截面图;图10为修改后图8内显示的传统结构之图解截面图,如此会在导线上平整的形成像素电极;以及图11为修改后图9内显示的传统结构之图解截面图,如此会在导线上平整的形成像素电极。 |
