| 主权项 |
1.一种具有基材及配置于基材上之磨层之用于CMP之磨垫,其中该磨层具有三维结构,其包括多个具有预定形状之规则排列三维元件,及该磨层包含磨料复合物,其含藉CVD法制造之先进氧化铝磨粒及黏合剂作为构造组件。2.根据申请专利范围第1项之用于CMP之磨垫,其中该三维元件之形状选自包括圆柱形、圆锥形、四面体形、金字塔形、具有平坦上表面之四面体或金字塔形、棱柱形、具有平坦上表面之棱柱形、及条形。3.根据申请专利范围第1项之用于CMP之磨垫,其中该先进氧化铝磨粒之平均粒度在0.01至20微米之范围内。4.根据申请专利范围第1项之用于CMP之磨垫,其中含于磨料组合物中之磨粒之浓度在10至90重量%之范围内。5.根据申请专利范围第1项之用于CMP之磨垫,其中黏合剂选自包括酚系树脂、胺基塑料树脂、胺甲酸酯树脂、环氧树脂、丙烯基树脂、丙烯化异氰酸酯树脂、尿素-甲醛树脂、异氰酸酯树脂、丙烯化胺甲酸酯树脂、丙烯化环氧树脂、胶、及其混合物。图式简单说明:图1为显示本发明磨层结构之实例之切面图。图2为显示本发明磨层结构之实例之切面图。图3为显示本发明磨层结构之实例之切面图。图4为显示本发明磨层结构之实例之简图。图5为作为本发明实例之用于CMP之磨垫之磨耗表面之放大相片。图6为作为本发明实例之用于CMP之磨垫之磨耗表面之平面图。图7为作为本发明实例之用于CMP之磨垫之横切面图。图8为作为本发明另一个实例之用于CMP之磨垫之磨耗表面之平面图。图9为作为本发明另一个实例之用于CMP之磨垫之磨耗表面之平面图。图10为作为本发明另一个实例之用于CMP之磨垫之磨耗表面之平面图。图11为描述试验磨垫之磨擦力之方法之模型图。图12为显示在磨耗步骤中随时间经过产生之磨擦力之绘制图表。 |
