可重写之光学资料储存媒体及其使用,申请号TW091106830-传众专利搜索

发明名称	可重写之光学资料储存媒体及其使用
摘要	本发明揭示一种可重写之光学资料储存媒体，其相位变更记录层系以Ga-In-Sb合金为主，而其成份在三角形的三元成份图中，系位于四边形区域TUVW之内。这些合金所显示的非晶性相位稳定性在30℃系为10年以上。此类媒体适于高速记录，如每秒至少30 Mb之DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM、高速CD-RW、DVR-红光与DVR-蓝光。
申请公布号	TWI233600	申请公布日期	2005.06.01
申请号	TW091106830	申请日期	2002.04.04
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	发明人	马汀亨利利卡德兰荷斯特;LANKHORST;约翰尼斯柯尼利斯诺伯特斯利帕斯;NORBERTUS RIJPERS;赫玛诺斯约翰尼斯伯格;约翰尼斯亨利库斯约瑟夫斯卢森;JOSEPHUS ROOSEN
分类号	G11B7/00	主分类号	G11B7/00
代理机构		代理人	陈长文台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项	1.一种利用一雷射光束(10)来高速记录的可重写光学资料储存媒体(20),该媒体(20)包含一载有薄层叠层(2)的基板(1),该叠层(2)包含一第一介电层(3)、一第二介电层(5)及一含有Ga、In及Sb合金之相位变更材料的记录层(4),该记录层(4)系介于该第一介电层(3)与该第二介电层(5)之间,其特征在于该合金中Ga、In及Sb的比例以Ga-In-Sb三元成份图(30)中按原子百分比的区域来代表,该区域形状系为具有以下顶点T、U、V及W的四边形:Ga36In10Sb54 (T)Ga10In36Sb54 (U)Ga26In36Sb38 (V)Ga52In10Sb38 (W)。2.如申请专利范围第1项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该合金中Ga、In及Sb的比例系以Ga-In-Sb三元成份图(30)中按原子百分比的区域来代表,该区域形状系为具有以下顶点T、X、Y及Z的四边形:Ga36In10Sb54 (T)Ga14In32Sb54 (X)Ga25In32Sb43 (Y)Ga47In10Sb43 (Z)。3.如申请专利范围第1或2项任一项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该第一介电层(3)包含化合物SiHy,并且邻接该记录层(4),且其中y为0<y≦0.5。4.如申请专利范围第3项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该记录层(4)的厚度至少为30nm。5.如申请专利范围第1或2项任一项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该记录层(4)系与至少一额外的碳化物层(3',5')接触,且其厚度在于2与8nm之间。6.如申请专利范围第5项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该碳化物层(3',5')包含SiC。7.如申请专利范围第1或2项任一项之光学资料储存媒体(20),其特征在于一金属反射层(6)在离该第一介电层(3)最远的一侧,与该第二介电层(5)邻接。8.如申请专利范围第7项之光学资料储存媒体(20),其特征在于该金属反射层(6)包含至少选自由Al、Ti、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Ni、Cr、Mo、W及Ta所组成群组的金属之一,包括这些金属的合金。9.一种用于高资料率及高资料稳定性记录之方法,其系使用如申请专利范围第1或2项之光学资料储存媒体(20)。图式简单说明:图1按原子百分比显示Ga-In-Sb的三角形三元成份图,其中标示两个四边形区域TUVW与TXYZ以及A到J各点,图2为根据本发明之光学资料储存媒体的架构横剖面图,图3为根据本发明之光学资料储存媒体的另一个架构横剖面图,以及图4曲线图显示图1所示A、B、C、G、H、I及J点非晶性相位标记的资料稳定性或结晶化时间(tc)与温度的函数(T单位为℃)。
地址	荷兰