| 主权项 |
1.一种电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其步骤包含:a.提供一基材;b.形成一黏结层于该基材表面;c.形成第一金属层于该黏结层上;d.形成复数个支撑绝缘垫于第一金属层表面;e.形成一高分子层于该厚金属层表面并覆盖该支撑绝缘垫;f.减薄该高分子层至露出该支撑绝缘垫的顶端;g.形成一第二金属层于该高分子层与该支撑绝缘垫上;h.热解该高分子层;及i.移除该基材与该黏结层。2.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该基材系为一矽基材。3.如申请专利范围第2项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该黏结层系为热氧化该矽基材所形成之二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该黏结层系以化学气相沉积法与物理气相沉积法的其中之一方法所形成。5.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该第一金属层系以化学气相沉积法、物理气相沉积法、电镀与无电镀法的其中之一方法所形成。6.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该d.步骤包含:d'.于该第一金属层上形成一绝缘层;d".于该绝缘层上形成一光阻层;d'".曝光与显影该光阻层以形成一光阻层图案;及d"".蚀刻该绝缘层以形成该支撑绝缘垫。7.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该支撑绝缘垫之材料系选自奈米尺度二氧化矽及多孔二氧化矽其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该高分子层具有一奈米尺度结构。9.如申请专利范围第8项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该形成一第二金属层于该高分子层与该支撑绝缘垫上的步骤,该第二金属层系沿着该高分子层的该奈米尺度结构成形,使该第二金属层表面形成微针尖结构。10.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,其中该第二金属层系以化学气相沉积法、物理气相沉积法、电镀与无电镀法的其中之一方法所形成。11.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,更包含于该第一金属层表面形成一重掺杂三五族之低功函数钻石薄膜的步骤。12.如申请专利范围第1项所述之电子穿遂式致电与致冷结构之制造方法,更包含于该第二金属层表面形成一重掺杂三五族之低功函数钻石薄膜的步骤。13.一种电子穿遂式致电与致冷结构,包括:一第一金属层,系为平板状;一第二金属层,系为平板状,并平行地与该第一金属层相邻;及复数个支撑绝缘垫,系分布于该第一金属层与该第二金属层间,使该第一金属层与该第二金属层相距在奈米距离内。图式简单说明:第1图至第8图为本发明实施例之制程截面示意图;及第3A图至第3E图为以光微影方法制造支撑绝缘垫之制程截面示意图。 |
