| 主权项 |
1.一种具白光产生器与放大器之半导体结构,系至少包含:一基板;一第一光学包覆层,系形成于该系基板上;一第二光学包覆层,系形成于第一光学包覆层上;一电流阻挡与光学包覆层,系形成于该第二光学包覆层上;一多波长量子井,系形成于该电流阻挡与光学包覆层上,该多波长量子井之两侧系形成为一p型掺杂区及一n型掺杂区,且该p型掺杂区及n型掺杂区分别形成一p极量子井侧壁金属电极及一n极量子井侧壁金属电极;一宽带沟光学包覆层,系形成于该多波长量子井上。2.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该多波长量子井与该p型掺杂区及该n型掺杂区为二极体结构。3.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该多波长量子井为至少一以上具有不同的井宽和位障宽的量子井。4.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该多波长量子井为至少一以上不同合金组成的量子井。5.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该多波长量子井之材料为化合物半导体和其合金材料构成的异质接面所形成。6.依据申请专利范围第5项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该异质接面为磷化铟/砷化镓铟/磷化砷镓铟(InP/In-GaAs/InGaAsP)。7.依据申请专利范围第5项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该异质接面为磷化铟/砷化铝铟/砷化镓铝铟/砷化镓铟(InP/InAlAs/InAlGaAs/InGaAs)。8.依据申请专利范围第5项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该异质接面为氮化镓/氮化镓铝/氮化镓铟(GaN/AlGaAN/InGaN)。9.依据申请专利范围第5项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该异质接面为砷化镓/砷化镓铝(GaAs/AlGaAs)。10.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该多波长量子井量子井之结构为光波导结构。11.依据申请专利范围第10项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该光波导结构为白光放大器。12.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该基板为半导体基板。13.依据申请专利范围第12项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该半导体基板为砷化镓(GaAs)之化合物半导体。14.依据申请专利范围第12项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该半导体基板为磷化铟(InP)之化合物半导体。15.依据申请专利范围第12项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该半导体基板为氮化铝(AlN)之化合物半导体。16.依据申请专利范围第12项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该半导体基板为氮化镓(GaN)之化合物半导体。17.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该基板为蓝宝石(Sapphire)之绝缘体基板。18.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该基板为碳化矽(SiC)之绝缘体基板。19.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该基板为金钢钻(diamond)之绝缘体基板。20.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该p型掺杂区及该n型掺杂区之制造方法为再磊晶成长的方式。21.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该p型掺杂区及该n型掺杂区之制造方法为离子布植的方式。22.依据申请专利范围第1项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该p型掺杂区及该n型掺杂区之制造方法为热扩散的方式。23.依据申请专利范围第21项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该离子布植的方式为加热扩散制程。24.依据申请专利范围第23项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该加热扩散制程进一步包含以覆盖物盖住发光区。25.依据申请专利范围第24项所述之一种具白光产生器与放大器之半导体结构,其中,该覆盖物为四氮化三矽(Si3N4)。图式简单说明:第1图 本发明之具白光产生器与放大器之半导体结构示意图。第2图 本发明之具白光产生器与放大器之半导体结构。第3图 习用白光产生器与放大器之半导体结构。第4图 习用白光产生器与放大器之半导体结构之电激发光频谱。第5图 习用另一白光产生器与放大器之半导体结构。第6图 习用另一白光产生器与放大器之半导体结构之电激发光频谱。 |
