| 主权项 |
1.一种多晶矽的结晶形成方法,该形成方法至少包含:形成一非晶矽层于一基板上;形成一保护层于该非晶矽层之上;形成一反射层于该保护层之上;图案化该保护层与该反射层,以形成一开口暴露出该非晶矽层的表面;以及进行一雷射加热制程,使位于该反射层与该保护层之下的该非晶矽层产生结晶成核点,并往位于该开口中之该非晶矽层进行长晶,使位于该开口中之该非晶矽层能成长出微米等级且排列规则之晶粒而转变成一多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该非晶矽层的形成方法包含电浆辅助化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该保护层系为可防止金属扩散之非金属材质。4.如申请专利范围第3项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该保护层包含氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该反射层系为对雷射具有反射能力之金属材质,用以阻挡该雷射加热制程之雷射能量传至被该反射层覆盖的该非晶矽层上。6.如申请专利范围第5项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该金属材质包含钼钨化合物(MoW)。7.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该雷射加热制程所使用之雷射包含XeCl紫外光源的准分子雷射。8.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该雷射加热制程之雷射能量约为330~450mJ/cm2。9.如申请专利范围第1项所述之多晶矽的结晶形成方法,于该雷射加热制程进行之后,更包含:移除该反射层与该保护层,以完整暴露出该多晶矽层之表面;以及进行另一雷射加热制程,使该多晶矽层上未完全结晶的部份再次结晶,并达到使该多晶矽层表面平坦化之效果。10.一种多晶矽的结晶形成方法,该形成方法至少包含:形成一非晶矽层于一基板上;形成一保护层于该非晶矽层之上;形成一反射层于该保护层之上;图案化该反射层与该保护层,以形成一开口暴露出该非晶矽层的表面;进行第一雷射加热制程,使位于该反射层与该保护层之下的该非晶矽层产生结晶成核点并往位于该开口中之该非晶矽层进行长晶,而该非晶矽层转变成为一多晶矽层;移除该反射层与该保护层,以完整暴露出该多晶矽层的表面;以及进行第二雷射加热制程,使该多晶矽层上未完全结晶的部份再次结晶,并达到使该多晶矽层表面平坦化之效果,最后得到一粒径至微米等级、晶粒排列规则且表面平坦的该多晶矽层。11.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该保护层包含氧化矽。12.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该反射层系为对雷射具有反射能力之金属材质,用以阻挡该第一雷射加热制程之雷射能量传至被该反射层覆盖的该非晶矽层上。13.如申请专利范围第12项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该金属材质包含钼钨化合物(MoW)。14.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该第一雷射加热制程与该第二雷射加热制程所使用之雷射包含XeCl紫外光源的准分子雷射。15.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该第一雷射加热制程之雷射能量约为330~ 450mJ/cm2。16.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该第二雷射加热制程之雷射能量系低于该第一雷射加热制程之雷射能量。17.如申请专利范围第10项所述之多晶矽的结晶形成方法,其中该反射层与该保护层之移除步骤系为一湿式蚀刻法。18.一种多晶矽薄膜电晶体之制造方法,至少包含:形成一非晶矽层于一基板上;对该非晶矽层进行一去氢制程;对该非晶矽层进行离子布植制程,以定义该非晶矽层的源/汲极区;形成一介电层于该非晶矽层之上;图案化该介电层以形成复数个接触窗口,而暴露出该非晶矽层的该源/汲极区之表面;形成一源/汲极金属于该介电层之上与该些接触窗口中以与该非晶矽层相连接;图案化该源/汲极金属与该介电层,以形成一开口暴露出该非晶矽层的表面;进行一雷射加热制程,使位于该介电层与该源/汲极金属之下的该非晶矽层产生结晶成核点并往位于该开口中之该非晶矽层进行长晶,而该非晶矽层转变成为一多晶矽层;形成一闸氧化层于该开口中;以及形成一闸极金属于该闸氧化层之上。19.如申请专利范围第18项所述之多晶矽薄膜电晶体之制造方法,其中该源/汲极金属对该雷射加热制程所使用之雷射具有反射之能力,以阻挡雷射能量传至被该源/汲极金属覆盖的该非晶矽层上。图式简单说明:第1A~1C图系依照本发明第一较佳实施例之一种多晶矽薄膜层结晶方法之制造流程剖面示意图;第2A~2D图系依照本发明第二较佳实施例之一种多晶矽薄膜层结晶方法之制造流程剖面示意图;第3A~3D图系应用本发明之较佳实施例的方法来制作薄膜电晶体之制造流程剖面示意图;以及第4图系应用本发明之多晶矽层的剖面局部放大示意图。 |
