| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆胞的制作方法,包括:于一基底上形成一第一介电层;于该第一介电层上形成一图案化罩幕层,其中该图案化罩幕层具有一沟渠;于该沟渠之侧壁上形成一对电荷储存间隙壁;去除该图案化罩幕层;于该基底上形成一第二介电层,覆盖该对电荷储存间隙壁与该第一介电层;于该第二介电层上形成一导体层;图案化该导体层,以于该对电荷储存间隙壁上形成一闸极结构;移除未被该闸极结构覆盖的该第二介电层与该第一介电层;以及于该闸极结构两侧之该基底内形成多数个源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中于该沟渠之侧壁上形成该对电荷储存间隙壁之步骤包括:于该基底上形成一电荷储存材质层;以及回蚀刻该电荷储存材质层,以形成该对电荷储存间隙壁。3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中该电荷储存材质层包括氮化矽层或氮氧化矽层之其中之一。4.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中该电荷储存材质层包括掺杂多晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中该第一介电层包括氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中该第二介电层之材质包括氧化矽-氮化矽-氧化矽、氧化矽-氮化矽或氧化矽之其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中图案化该导体层,以于该对电荷储存间隙壁上形成该闸极结构之步骤后,更包括于该闸极结构侧壁上形成多数个介电间隙壁。8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中去除该图案化罩幕层的方法包括使用热磷酸作为蚀刻液。9.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞的制作方法,其中该导体层包括掺杂多晶矽层。10.一种快闪记忆胞的制作方法,包括:于一基底上形成一穿隧介电层;于该穿隧介电层上形成一图案化罩幕层,其中该图案化罩幕层具有一沟渠;于该基底上形成一导体层覆盖该沟渠表面;移除部分该导体层,以于该沟渠之侧壁上形成一对导体间隙壁作为浮置闸极;去除该图案化罩幕层;于该基底上形成一闸间介电层,覆盖该对导体间隙壁与该穿隧介电层;于该闸间介电层上形成对应于该对导体间隙壁的一控制闸极;以及于该控制闸极两侧之该基底内形成多数个源极/汲极区。11.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中该穿隧介电层包括氧化矽层。12.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中该图案化罩幕层之材质包括氮氧化矽与氮化矽其中之一。13.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中该闸间介电层之材质包括氧化矽-氮化矽-氧化矽、氧化矽-氮化矽或氧化矽之其中之一。14.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中该导体层包括掺杂多晶矽层。15.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中去除该图案化罩幕层的方法包括使用热磷酸作为蚀刻液。16.如申请专利范围第10项所述之快闪记忆胞的制作方法,其中于该闸间介电层上形成对应于该对导体间隙壁的该控制闸极之步骤后,更包括:于该控制闸极之侧壁上形成一对介电间隙壁,并暴露出该闸间介电层;以及去除暴露出的该闸间介电层与该穿隧介电层。17.一种矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型记忆胞的制作方法,包括:于一基底上形成一底氧化矽层;于该底氧化矽层上形成一图案化罩幕层,其中该图案化罩幕层具有一沟渠;于该基底上形成一电荷陷入层覆盖该沟渠表面;移除部分该电荷陷入层,以于该沟渠之侧壁上形成一对电荷陷入间隙壁;去除该图案化罩幕层;于该基底上形成一顶氧化矽层,覆盖该对电荷陷入间隙壁与该底氧化矽层;于该顶氧化矽层上形成对应于该对电荷陷入间隙壁的一闸极;以及于该闸极两侧之该基底内形成多数个源极/汲极区。18.如申请专利范围第17项所述之矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型记忆胞的制作方法,其中该图案化罩幕层之材质包括氮氧化矽或氮化矽。19.如申请专利范围第17项所述之矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型记忆胞的制作方法,其中该电荷陷入层包括氮化矽层或氮氧化矽层。20.如申请专利范围第17项所述之矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型记忆胞的制作方法,其中于该顶氧化矽层上形成对应于该对电荷陷入间隙壁的该闸极之步骤后,更包括:于该闸极之侧壁上形成一对介电间隙壁,并暴露出该顶氧化矽层;以及去除暴露出的该顶氧化矽层与该底氧化矽层。图式简单说明:图1A至图1D是依照本发明之第一实施例之快闪记忆胞的部分制造流程俯视图。图2A至图2G系绘示是依照本发明之第一实施例之快闪记忆胞的制造流程剖面图。图3A至图3E是依照本发明之第二实施例之矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型记忆胞的制造流程剖面图。 |
