频谱激能器

摘要

一种具有滤波、细分频率及放大功能的频谱激能器，其藉由第一氧化铝(aluminum oxide)单元进行第一次滤除声音信号杂讯；氧化铁(iron oxide)单元细分此声音信号频率，藉此提升音频中的中、高音并同时压缩低音，其中此氧化铁单元的材质系包括由氧化铁、氧化锰(manganese oxide)、氧化铬(chromium oxide)以及氧化钴(cobaltoxide)所组成，并且上述之氧化铁系一非充磁式之氧化铁；第二氧化铝单元进行第二次滤除此声音信号杂讯；以及放大单元放大此声音信号，其中此放大单元的材质系包括由蓝晶石(kyanite)、阳起石(actinolite)、矽灰石(wollastonite)、电器石(tourmaline)、硅石(silica)、高岭土(kaolinite)以及叶长石(petalite)所组成。上述之各单元更分别经过复数个传统电镀处理包括一镀铜处理、一镀镍/镀锡处理以及一镀金/镀银/镀白金的组合处理。

主权项

1.一种频谱激能器,包含:一第一氧化铝单元,该第一氧化铝单元第一次滤除一声音信号的杂讯;一氧化铁单元,该氧化铁单元细分该声音信号的频率,藉此提高该声音信号音频中的中、高音并压缩低音;以及一第二氧化铝单元,该第二氧化铝单元第二次滤除该声音信号的杂讯。2.如申请专利范围第1项所述之频谱激能器,更包含一放大单元,该放大单元放大该声音信号。3.如申请专利范围第1项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁单元系包含由氧化铁、氧化锰、氧化铬以及氧化钴所组成。4.如申请专利范围第3项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁约占40%~74%。5.如申请专利范围第3项所述之频谱激能器,其中上述之氧化锰约占16%~30%。6.如申请专利范围第3项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铬约占12%~22%。7.如申请专利范围第3项所述之频谱激能器,其中上述之氧化钴约占2%~4%。8.如申请专利范围第3项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁系包含非充磁式之氧化铁。9.如申请专利范围第2项所述之频谱激能器,其中上述之放大单元系包含由蓝晶石、阳起石、矽灰石、电器石、硅石、高岭土以及叶长石所组成。10.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之蓝晶石约占16%~30%。11.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之阳起石约占16%~30%。12.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之矽灰石约占13%~23%。13.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之电器石约占11%~21%。14.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之硅石约占6%~12%。15.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之高岭土约占5%~9%。16.如申请专利范围第9项所述之频谱激能器,其中上述之叶长石约占3%~6%。17.一种频谱激能器,包含:一第一氧化铝单元,该第一氧化铝单元第一次滤除一声音信号的杂讯;一氧化铁单元,该氧化铁单元细分该声音信号的频率,藉此提高该声音信号音频中的中、高音并压缩低音;一第二氧化铝单元,该第二氧化铝单元第二次滤除该声音信号的杂讯;以及一放大单元,该放大单元放大该声音信号。18.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之第一氧化铝单元系经过复数个电镀处理包含一镀铜处理、一镀镍/镀锡处理以及一镀金/镀银/镀白金的组合处理。19.如申请专利范围第18项所述之频谱激能器,其中上述之复数个电镀处理系包含复数个传统电镀处理。20.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁单元系包含由氧化铁、氧化钴、氧化锰以及氧化铬所组成。21.如申请专利范围第20项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁约占40%~74%。22.如申请专利范围第20项所述之频谱激能器,其中上述之氧化锰约占16%~30%。23.如申请专利范围第20项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铬约占12%~22%。24.如申请专利范围第20项所述之频谱激能器,其中上述之氧化钴约占2%~4%。25.如申请专利范围第20项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁系包含非充磁式之氧化铁。26.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之氧化铁单元系经过复数个电镀处理包含一镀铜处理、一镀镍/镀锡处理以及一镀金/镀银/镀白金的组合处理。27.如申请专利范围第26项所述之频谱激能器,其中上述之复数个电镀处理系包含复数个传统电镀处理。28.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之第二氧化铝单元系经过复数个电镀处理包含一镀铜处理、一镀镍/镀锡处理以及一镀金/镀银/镀白金的组合处理。29.如申请专利范围第28项所述之频谱激能器,其中上述之复数个电镀处理系包含复数个传统电镀处理。30.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之放大单元系包含由蓝晶石、阳起石、矽灰石、电器石、硅石、高岭土以及叶长石所组成。31.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之蓝晶石约占16%~30%。32.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之阳起石约占16%~30%。33.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之矽灰石约占13%~23%。34.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之电器石约占11%~21%。35.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之硅石约占9%。36.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之高岭土约占5%~9%。37.如申请专利范围第30项所述之频谱激能器,其中上述之叶长石约占3%~6%。38.如申请专利范围第17项所述之频谱激能器,其中上述之放大单元系经过复数个电镀处理包含一镀铜处理、一镀镍/镀锡处理以及一镀金/镀银/镀白金的组合处理。39.如申请专利范围第38项所述之频谱激能器,其中上述之复数个电镀处理系包含复数个传统电镀处理。40.一种频谱激能器的制造方法,包含:利用一第一电镀处理电镀一第一导体物质于一频谱激能器,其中该频谱激能器包含一第一氧化铝单元、一氧化铁单元以及一第二氧化铝单元。41.如申请专利范围第40项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之频谱激能器更包含一放大单元。42.如申请专利范围第40项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第一导体物质系包含铜。43.如申请专利范围第40项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第一电镀处理系包含一传统电镀处理。44.如申请专利范围第40项所述之频谱激能器的制造方法,更包含利用一第二电镀处理电镀一第二导体物质于该频谱激能器。45.如申请专利范围第44项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第二导体物质系包含镍。46.如申请专利范围第44项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第二导体物质系包含锡。47.如申请专利范围第44项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第二电镀处理系包含一传统电镀处理。48.如申请专利范围第40项所述之频谱激能器的制造方法,更包含利用一第三电镀处理电镀一第三导体物质于该频谱激能器。49.如申请专利范围第48项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第三导体物质系包含金。50.如申请专利范围第48项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第三导体物质系包含银。51.如申请专利范围第48项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第三导体物质系包含白金。52.如申请专利范围第48项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第三电镀处理系包含一传统电镀处理。53.如申请专利范围第48项所述之频谱激能器的制造方法,更包含利用一第四电镀处理电镀一第四导体物质于该频谱激能器。54.如申请专利范围第53项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第四导体物质系包含金。55.如申请专利范围第53项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第四导体物质系包含银。56.如申请专利范围第53项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第四导体物质系包含白金。57.如申请专利范围第53项所述之频谱激能器的制造方法,其中上述之第四电镀处理系包含一传统电镀处理。图式简单说明:第一A图系本发明之频谱激能器相对于分离式音响主机的摆放位置示意图;第一B图系本发明之频谱激能器相对于整合式音响主机的摆放位置示意图;第二A图系本发明之一较佳实施例的组合结构示意图;第二B图系本发明之一较佳实施例相对于传统线材之一较佳摆放方式示意图;第三图系本发明之一较佳实施例的制作流程图;以及第四图系空载、原材料以及频谱激能器之音响分贝的波形图。