| 摘要 |
一种选择性去除半球状矽晶粒(Hemispherical Silicon Grain；HSG)层的方法及深渠沟电容器之制法，包括下列步骤：提供一已制备完成垫层结构之半导体基底，其上具有一深渠沟。形成一氧化层于该深渠沟上部开口侧壁。形成一半球状矽晶粒层于该深渠沟底部及侧壁。形成一掺杂绝缘层以覆盖该半球状矽晶粒层。形成一遮蔽层于该深渠沟下半部一预定深度，并去除该深渠沟上半部之掺杂绝缘层。电浆掺杂该深渠沟上半部之半球状矽晶粒层以形成一电浆掺杂层；去除该电浆掺杂层而不损伤深渠沟矽基底以完成选择性去除半球状矽晶粒层的方法。然后，形成一覆盖氧化层于该深渠沟上方区域及侧壁，进行一热制程并形成一埋入电极板。 |
