用于使记忆体阵列面积小型化之布局方法

摘要

位元线及两相同宽度之钨线路组成的线路对形成于一穿孔将形成之部份，其中该穿孔之形成系为使该位元线及该钨线路形成于规律间隔上。一用以连接至另一线路层之穿孔形成于该等钨线路之间，一钨形成之连接线路形成于该穿孔之上，以使该穿孔周围有预定安全间距。在一微影制程中，一小宽度细缝延伸于该穿孔的整个长度上，且该宽度使得该细缝不为一光阻所感知。