半导体装置之制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体元件之制造方法。该方法包含下列步骤：制备一个半完成半导体基板；在该半完成半导体基板上，形成牺牲层；藉由使用岛型光阻图案，将牺牲层制作图案，因此可以至少得到一个曝露部分半完成半导体基板之接触孔洞；及在牺牲层上形成导电层。