源极/汲极的制造方法及使用该方法制造的电晶体

摘要

本发明提供一种具有低接面电容值之源极／汲极的制造方法及使用此源极／汲极之电晶体，在形成源极／汲极之一实施例中，先于邻接电晶体闸极之基材中形成一凹型区域，并且于凹型区域的下表面形成一深掺杂区域，接着于凹型区域内磊晶成长一半导体材质，并且在闸极附近形成轻微掺杂汲极区域。