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发明名称
非晶质矽膜之结晶化方法
摘要
一种在非晶质基板(例如玻璃基板或塑胶基板)上形成单晶质矽膜的方法。该方法之步骤包括:经由第一与第二雷射制程,选择性的将雷射光束照射在非晶质矽膜之像素节段薄膜电晶体形成区和周边电路薄膜电晶体形成区,藉此形成一多晶矽膜,又经由第三雷射制程,将雷射光束照射在形成于多晶矽膜的其中一个晶粒上,藉此在非晶质矽膜之预定部分形成一具有想要大小之单晶矽区。该非晶质矽膜局部结晶化为单晶矽膜,因此能改善像素节段和周边电路所需之薄膜电晶体的特性,并能确保高均匀度。
申请公布号
TW200518196
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW093118913
申请日期
2004.06.29
申请人
京东方显示器科技公司
发明人
柳明官;李镐年;朴宰彻;金亿洙;孙暻锡;李俊昊;权世烈
分类号
H01L21/20;H01L21/36
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
郑再钦
主权项
地址
韩国
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