发明名称 化学机械研磨的流程与其所包含的基底上铜层氧化物研磨制程
摘要 本发明揭示一种氧化物研磨制程,系为一化学机械研磨制程之流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后,一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用,以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force),能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法,具有相同的产出,并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。
申请公布号 TW200518213 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093114905 申请日期 2004.05.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 洪伟伦;庄佳哲;锺基伟;邱文智;陈盈和;章勋明
分类号 H01L21/304;B24B37/04 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号