| 主权项 |
1.一种有机发光二极体元件,系包括: 玻璃基板; 黑色矩阵图案层,系设于该玻璃基板上呈预定图案 ,该黑色矩阵图案层系具有低反射率; 保护层,系覆盖于该玻璃基板与该黑色矩阵图案层 之上; 阳极图案层,系设于该保护层上呈预定图案; 发光层结构,系设于该阳极图案层上; 绝缘区,系位在阳极图案层之间作为隔绝;及 金属矩阵图案,系沿该阳极图案层四周设置; 其中,该黑色矩阵图案层系具有与该绝缘区互相对 应之第一矩阵图案。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该黑色矩阵图案层系为金属氧化物、聚亚 醯胺(Polyimide)、感光性丙烯酸酯(Acrylate)、无电解 电镀镍、或石墨(Graphite)等材质所组成。 3.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属氧化物系包括有氧化铬。 4.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该保护层系以树脂或环氧树脂为基材。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该保护层系以氧化矽(Silicon Oxide)或矽氧化 氮(Silicon Oxide Nitride)为基材。 6.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该保护层系以聚亚醯胺(Polyimide)或压克力 为基材。 7.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体元 件,其中该保护层系进一步包括成长于该基材上之 氧化矽(Silicon Oxide)或矽氧化氮(Silicon Oxide Nitride) 膜。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该黑色矩阵图案层系进一步包括有第二矩 阵图案;该第二矩阵图案系与该第一矩阵图案间隔 设置;该第二矩阵图案系对应于该阳极图案层。 9.如申请专利范围第8项所述之有机发光二极体元 件,其中该第二矩阵图案系为块状。 10.如申请专利范围第8项所述之有机发光二极体元 件,其中该第二矩阵图案系呈至少两隔板状。 11.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属矩阵图案系位在阳极图案层之边缘 上方。 12.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属矩阵图案系位在阳极图案层之侧缘 。 13.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属矩阵图案系位在阳极图案层之边缘 ,并覆盖阳极图案层之上缘及侧缘。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属矩阵图案系用导电系数与反射率高 之材质制作。 15.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该金属矩阵图案系用金、银、铝、铜与铬 等材质。 16.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该阳极为ITO材质。 17.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体元 件,其中该发光层结构由下而上依序包含电洞传输 层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。 18.如申请专利范围第17项所述之有机发光二极体 元件,其中该发光层结构可为单色或是多色。 19.一种制作有机发光二极体元件之制程,系包括: (a)置备一玻璃基板并成长黑色矩阵薄膜; (b)利用微影蚀刻制程,制作黑色矩阵图案; (c)于所得结构上成长保护层; (d)在该保护层上制作阳极图案与金属矩阵图案; (e)涂布光阻材质并利用微影制程,制作绝缘区;及 (f)制作发光层结构。 20.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该黑色 矩阵薄膜系为金属氧化物、聚亚醯胺(Polyimide)、 感光性丙烯酸酯(Acrylate)、无电解电镀镍、或石墨 (Graphite)等材质所组成。 21.如申请专利范围第20项所述之制程,其中该金属 氧化物系包括有氧化铬。 22.如申请专利范围第21项所述之制程,其中该(a)步 骤系包括以溅镀(Sputter)机台成长氧化铬薄膜。 23.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该保护 层系以树脂或环氧树脂为基材。 24.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该保护 层系以氧化矽(Silicon Oxide)或矽氧化氮(Silicon Oxide Nitride)为基材。 25.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该保护 层系以聚亚醯胺(Polyimide)或压克力为基材。 26.如申请专利范围第25项所述之制程,其中该保护 层系进一步包括成长于该基材上之氧化矽(Silicon Oxide)或矽氧化氮(Silicon Oxide Nitride)膜。 27.如申请专利范围第26项所述之制程,其中该(c)步 骤系包括先涂布聚亚醯胺或压克力,再使用化学气 相沉积(CVD)制程成长氧化矽或矽氧化氮膜。 28.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该黑色 矩阵图案层系具有与该绝缘区互相对应之第一矩 阵图案、及与该第一矩阵图案间隔设置之第二矩 阵图案;该第二矩阵图案系对应于该阳极图案层。 29.如申请专利范围第28项所述之制程,其中该第二 矩阵图案系为块状。 30.如申请专利范围第28项所述之制程,其中该第二 矩阵图案系呈至少两隔板状。 31.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该(d)步 骤系包括: 在该保护层上成长ITO薄膜作为阳极; 利用溅镀(Sputter)或电镀机台成长一金属薄膜; 进行微影蚀刻制程,制作金属矩阵图案;以及 利用微影蚀刻制程,制作阳极图案。 32.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该(d)步 骤系包括: 利用溅镀(Sputter)或电镀机台成长一ITO薄膜作为阳 极; 利用微影蚀刻制程,制作阳极图案; 利用溅镀(Sputter)或电镀机台成长一金属薄膜;以及 利用微影蚀刻制程,制作金属矩阵图案。 33.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该金属 矩阵图案系用导电系数与反射率高之材质制作。 34.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该金属 矩阵图案系用金、银、铝、铜与铬等材质。 35.如申请专利范围第19项所述之有机发光二极体 元件,其中该阳极为ITO材质。 36.如申请专利范围第19项所述之有机发光二极体 元件,其中该发光层结构由下而上依序包含电洞传 输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。 37.如申请专利范围第36项所述之有机发光二极体 元件,其中该发光层结构可为单色或是多色。 图式简单说明: 第一图所示,系为习知有机发光二极体元件之剖视 示意图; 第二图所示,系为本发明第一实施例之剖视示意图 ; 第三图所示,系为本发明第一实施例之上视示意图 ; 第四图所示,系为本发明第一实施例之剖视示意图 ; 第五图所示,系为本发明第二实施例之剖视示意图 ; 第六图所示,系为本发明第二实施例之上视示意图 ; 第七图所示,系为本发明第三实施例之剖视示意图 ; 第八图所示,系为本发明第三实施例之上视示意图 ; 第九A图至第九I图,系为本发明第一实施例之流程 示意图;及 第十A图至第十I图,系为本发明第二实施例之流程 示意图。 |
