发明名称 |
导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用 |
摘要 |
本发明公开了多层互连结构和用于制造所述互连结构的方法。该互连结构可以包含互连线、在互连线上面形成的无电镀沉积金属层、在金属层上面形成的通孔以及在通孔上面形成的第二互连线。通常金属层包含钴或镍合金,并为形成对应于通孔的开口提供刻蚀停止层。金属层可以向下面的互连线提供保护,并可以取代传统的保护性电介质层。金属层是导电的而非电介质,并为通孔和互连线之间的电流通过提供分路。还可以在互连结构中使用类似金属层作为通孔衬垫层与通孔插塞。 |
申请公布号 |
CN1623228A |
申请公布日期 |
2005.06.01 |
申请号 |
CN03800585.9 |
申请日期 |
2003.04.25 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
瓦莱丽·迪宾;展常·程;马卡连姆·候赛因;披·源;吕特·布雷恩 |
分类号 |
H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
柳春雷 |
主权项 |
1.一种方法,包括:通过以氧化还原化学反应在第一互连线上面沉积金属,而形成导电层,所述导电层包含所述金属,并位于第一电介质层内的所述第一互连线上面;在所述第一电介质层上面以及所述导电层上面形成第二电介质层;通过相对于从所述导电层除去金属而选择性地从所述第二电介质层除去材料,在所述第一互连线上面所述第二电介质层内形成开口;以及通过向所述开口内加入导电材料而在所述导电层上面形成通孔。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |