| 发明名称 | 对于由电极孔的侧壁限定的相可变材料具有接触表面面积的相变存储器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1622360A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN200410095711.8 | 申请日期 | 2004.11.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑元哲;金亨俊;朴哉炫;郑椙旭 |
| 分类号 | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种相变存储器件，包括：布置在衬底上的加热电极，加热电极包括贯穿加热电极的电极孔；以及设置在电极孔中并接触电极孔侧壁的相变材料图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||