| 发明名称 | 晶体的制造方法 | ||
| 摘要 | 在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1623220A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN02828388.0 | 申请日期 | 2002.11.12 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 佐佐木伸一;中村正志;佐藤贤次 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曹雯;刘冬 |
| 主权项 | 1.一种晶体的制造方法，是在基板上生长晶体的方法，其特征在于，至少包含：形成第1晶体层的工序；形成第2晶体层的工序；以及形成第3晶体层的工序；上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||