无电镀敷法和在其上形成金属镀层的半导体晶片

摘要

本发明的目的是提供在其上形成适用于晶种层的薄、光滑、均匀且粘附性好的无电镀层的半导体晶片，和提供适用于制造此半导体晶片的无电镀敷方法。用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布半导体晶片，再涂以钯化合物如氯化钯等的有机溶剂溶液。然后使所述晶片进行无电镀敷。作为此无电镀敷方法的结果，可获得厚度为70至5000埃且平均表面粗糙度Ra为10至100埃的半导体晶片。

主权项

1.一种无电镀敷方法，包括：用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布待镀表面，再用钯化合物的有机溶剂溶液涂布所述表面，和对所述表面进行无电镀敷。