非晶质硅膜的结晶方法

摘要

一种在玻璃基板或塑料基板等非晶质基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源的照射而结晶的非晶质硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非晶质硅膜的全部区域结晶，而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶，所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。

主权项

1.一种非晶质硅膜的结晶方法，其在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源照射结晶的方法，其特征在于，把像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，把所述多晶体内的晶粒中任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。