倒装芯片发光二极管及其制造方法

摘要

提供了一种倒装芯片型发光器件及其制造方法。所述倒装芯片型发光器件包括衬底、n型覆层、有源层、p型覆层、由掺杂了锑、氟、磷、砷中至少一种的氧化锡形成的欧姆接触层、以及由反射材料形成的反射层。根据所述倒装芯片型发光器件及其制造方法，通过应用具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流－电压特性和耐久性。

主权项

1.一种倒装芯片型发光器件，其具有插入在一n型覆层和一p型覆层之间的一有源层，所述倒装芯片型发光器件包括：一在所述p型覆层上由掺杂了附加元素的氧化锡形成的欧姆接触层；以及一在所述欧姆接触层上由反射材料形成的反射层。