| 发明名称 | 溅射靶及光信息记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及溅射靶及光信息记录介质用薄膜(特别是作为保护膜使用)及其制造方法，采用含SiO<SUB>2</SUB>系氧化物的材料，且邻接的反射层、记录层不易发生劣化，而且能密合性良好地高速成膜。藉此，以提升光信息记录介质的特性及大幅改善生产性为目的。该溅射靶，是以氧化锡、氧化锌、及3价以上元素的氧化物为主成分，其特征在于，氧化锡相(110)的峰值强度I1、与氧化锡之外的氧化物或复合氧化物相存在于X线衍射图中2θ＝15～40°范围内的最大峰值强度I2，其比是I2/I1＝0.1～1。 | ||
| 申请公布号 | CN1621558A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN200410096242.1 | 申请日期 | 2004.11.25 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 高见英生;矢作政隆 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种溅射靶，以氧化锡、氧化锌、及3价以上元素的氧化物为主成分，其特征在于，氧化锡相(110)的峰值强度I1、与氧化锡以外的氧化物或复合氧化物相存在于X线衍射图中2θ＝15～40°范围内的最大峰值强度I2，其比是I2/I1＝0.1～1。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||