| 发明名称 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，能提高单位面积的电容器容量，能简化制造工序。通过在电容器形成区域的表面，形成至少不少于1个的凹凸的电容器形成槽(4a)，来增加电容器的表面积，可提高单位面积的电容器的容量。另外，通过利用同一工序形成上述电容器形成槽(4a)和在半导体衬底(1)的表面上形成的元件分离槽(4)，可以简化制造工序。另外，通过同一工序，形成在电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)和在MISFET区域的高耐压用栅极绝缘膜(16)。另外，通过同一工序，形成电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)、及存储单元形成区域的多晶硅层(10a)和多晶硅层(17)之间的存储器栅极层间膜(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN1622311A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN03110198.4 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 冈崎勉;冈田大介;池田良广;塚本惠介;福村达也;宿利章二;原田惠一;岸浩二 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8239;H01L27/10;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有半导体元件、对上述半导体元件之间进行分离的元件分离槽、电容器形成槽、及在上述电容器形成槽内通过电介质膜形成的电容器电极，其特征在于：通过在半导体衬底上形成上述元件分离槽的工序，形成上述电容器形成槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||