氮化物半导体激光器件及其制造方法

摘要

一种具有优异光学特性的III族氮化物半导体激光器件及其制造方法。该方法并不包括需要高装配精度的步骤。该III族氮化物半导体激光器件包括具有切开部分的衬底。一个多层体的激光面位于该衬底的该切开部分之附近。

主权项

1.一种氮化物半导体激光器件，包括：一个包括多个III族氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)晶体层的多层体，其中，该晶体层具有一个切开的用于发射激光的激光面；和一个粘合在所述多层体上的切开的衬底；其中，所述切开的衬底在所述切开的多层体的激光面附近具有一个切开部分。