在集成电路中含硅导体区域形成改良的金属硅化物部分的方法

摘要

于含硅导电区域上设有包含至少三种物质层(221，222和223)的叠层(220)，以于该含硅导电区域上和其中形成硅化物部分(208)，其中与硅毗邻的一层(221)提供用于硅化反应的金属原子，该中间层(222)藉于沉积期间供应含氮物以形成金属氮化物，而于形成该上层(223)时中断供应含氮物。此方法可以于原位置方法(in situ method)施行，而相较于一般现有工艺的利用至少两种沉积槽，本方法可明显地改善产能和沉积工具的性能。

主权项

1.一种于含硅导电区域上形成降低电阻区域的方法，该方法包含：提供一基板(201)，该基板上形成有该含硅导电区域；沉积一层堆栈(220)至该含硅导电区域上，该层堆叠包含第一金属层(221)、第二金属层(223)及位于该第一及第二金属层之间的金属氮化物层(222)；以及热处理该基板(201)，以于该含硅导电区域上形成金属硅化物部分(208)。