发明名称 晶体管的减少噪声技术和使用插话式激励的小型装置
摘要 本发明提供了多种用于减少非易失性存储器件的读取中所固有的噪声量的方法,该等方法通过将一个插话式激励(例如,一个时间变化电压)施加到单元的某个端子或某些端子作为读取过程的一部分来减少噪声。本发明的各个方面也可扩展到非易失性存储器以外的器件。根据本发明的一个方面,除了将正常的电压电平施加到该单元作为读取过程的一部分之外,还将一个时间变化电压施加到该单元上。一组实施例是仅在读取过程的信号积分时间之前或在积分时间期间将单组或多组交变电压施加到一个浮动栅存储单元的一个或多个端子上。在其它实施例中,可使用其它可再生的外部或内部激励,这些激励是可重复的,其平均影响(从一个积分时间到下一个积分时间)保持充分的恒定以使其具有净的减少噪声的效果。
申请公布号 CN1623206A 申请公布日期 2005.06.01
申请号 CN02828519.0 申请日期 2002.12.16
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 尼玛·莫克莱斯;丹尼尔·C·古特曼;杰弗里·S·冈沃尔
分类号 G11C16/26;G11C11/56 主分类号 G11C16/26
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟
主权项 1.一种读取一个非易失性存储器存储单元中的数据内容的方法,该方法包括:在一个读取时段期间,将一组读取电压波形施加到该存储器存储单元的该等端子上;在该读取时段期间测量一个与该存储器存储单元的该数据内容相关的参数值,其中该参数的测量值包括噪声分量的成分;在该读取时段期间将一个插话式激励施加到该存储器存储单元上,其中该激励的电平影响该参数值并因此减少噪声分量的成分。
地址 美国加利福尼亚州