| 发明名称 | 铌酸锂基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用由佐科拉尔斯基法培育成的铌酸锂结晶，制造铌酸锂基板的方法，其特征在于，在将铌酸锂结晶，埋入到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的粉末中的状态下，或者，容纳到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的容器中的状态下,在300℃及其以上、不足于500℃的温度下，进行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1621578A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN200410095073.X | 申请日期 | 2004.11.23 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 梶谷富男;角田隆 |
| 分类号 | C30B29/30;H01L41/02;H01L41/22;H03H9/02;C01G33/00 | 主分类号 | C30B29/30 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
| 主权项 | 1、一种铌酸锂基板，其特征在于，该铌酸锂基板具有热过程，该热过程为，在埋入到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的粉末中的状态下，或者，在容纳到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的容器中的状态下，在300℃及其以上、不足于500℃的温度下，进行热处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||