形成于多厚度埋入氧化层上的半导体装置以及制造此半导体装置的方法

摘要

本发明涉及在一多厚度埋入氧化物层20上形成的一种半导体装置及其数种制造方法。在一实施例中，该装置包含一块基底12、在该块基底12之上形成的一多厚度埋入氧化物层20、以及在该多厚度埋入氧化物层20之上形成的一主动层21，系在该多厚度埋入氧化物层20之上的该主动层21中形成该半导体装置。在某些实施例中，该多厚度埋入氧化物层20包含位于两个第二部分间的第一部分20B，该第一部分20B的厚度小于该等第二部分20A的厚度。在一实施例中，该方法包含下列步骤：在一硅基底40上执行第一氧离子植入过程42；在该基底之上形成一掩模层44；穿过该掩模层44而在该基底40上执行第二氧离子植入过程46；以及在该基底40上执行至少一次加热过程，以便在该基底40中形成一多厚度埋入氧化物层20。在另一实施例中，该方法包含下列步骤：在一硅基底40上执行第一氧离子植入过程46；在该基底40之上形成一掩模层44；穿过该掩模层44而在该基底40上执行第二氧离子植入过程42；以及在该基底上执行至少一次加热过程，以便在该基底40中形成一多厚度埋入氧化物层20。在又一实施例中，该方法包含下列步骤：使用晶片接合技术形成一多厚度埋入氧化物层20。

主权项

1.一种半导体装置，包含：一块基底12；在该块基底12的上形成的一多厚度埋入氧化物层20；以及在该多厚度埋入氧化物层20之上形成的一主动层，12系在该多厚度埋入氧化物层20之上的该主动层12中形成该半导体装置。