| 发明名称 | 具有PNPN构造的发光器件和发光器件阵列 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包括发光闸流管和肖特基势垒二极管的发光器件。使由PNPN构造构成的3端子发光闸流管的控制板层接触金属端子形成至少肖特基势垒二极管。这样的肖特基势垒二极管用作二极管结型自扫描型发光器件阵列的耦合二极管的话，自扫描型发光器件阵列用3.0V就能驱动。 | ||
| 申请公布号 | CN1623239A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN03802717.8 | 申请日期 | 2003.02.21 |
| 申请人 | 日本板硝子株式会社 | 发明人 | 大野诚治 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：在第1导电型的衬底上，由层叠第1导电型的半导体层、第2导电型的半导体层、第1导电型的半导体层、第2导电型的半导体层的PNPN构造而构成，在所述PNPN构造的控制极层上有接触欧姆的控制极的至少1个发光闸流管；以及由所述控制极层和至少1个金属端子的肖特基结而构成的至少1个肖特基势垒二极管。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||