准双栅场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种基于体硅上的部分准SOI－FinFET器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：首先在体硅片上，离子注入对源漏进行掺杂，形成有源区；接着刻蚀fin区，和源漏区形成“工”字型的图形；然后淀积氮化硅保护fin区，同时继续刻蚀硅，进行氧化，形成fin区的准SOI结构；制备隔离区、栅介质、栅电极；最后采用常规CMOS工艺完成后续步骤，直至基于体硅技术的准SOI－FinFET器件制作完毕。本发明利用了淀积氮化硅来保护fin区然后氧化形成fin区的准SOI结构，工艺简便，成本低廉。

主权项

1、一种准双栅场效应晶体管的制备方法，步骤包括：(1)在体硅片上，离子注入对源漏进行掺杂，形成有源区；(2)刻蚀fin区，和源漏区形成“工”字型的图形；(3)淀积氮化硅保护fin区，同时继续刻蚀硅，进行氧化，形成fin区的准SOI结构；(4)制备隔离区、栅介质、栅电极，采用常规CMOS工艺完成后续步骤，直至基于体硅技术的准SOI-FinFET器件制作完毕。