| 发明名称 | 双极晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1623233A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN02828380.5 | 申请日期 | 2002.02.28 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 塞萨尔·龙西斯瓦莱 |
| 分类号 | H01L27/07 | 主分类号 | H01L27/07 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的改进双极晶体管结构(1)，其特征在于包括位于晶体管结构的基极(B)和发射极(E)之间的集成闸流晶体管器件(3)SCR。 | ||
| 地址 | 意大利阿格利特布里安萨 | ||