| 发明名称 | 钨抛光溶液 | ||
| 摘要 | 用于平面化半导体晶片的钨CMP溶液，该溶液包含具有足够的氧化电位用于将钨金属氧化成氧化钨的主要氧化剂；且该钨CMP溶液具有用于除去钨金属的静态腐蚀速率。辅助氧化剂可降低钨CMP溶液的静态腐蚀速率。该辅助氧化剂选自溴酸盐和氯酸盐。可选地，该钨CMP溶液包含0至50重量百分比的研磨颗粒；且该溶液还包含余量的水和偶然杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN1622985A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN03802695.3 | 申请日期 | 2003.01.24 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | T·M·托马斯;S·德纳迪;W·戈弗雷 |
| 分类号 | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/321 | 主分类号 | C09G1/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.用于平面化半导体晶片的钨CMP溶液，该溶液包含：具有足够的氧化电位用于将钨金属氧化成氧化钨的主要氧化剂，且该钨CMP溶液具有用于除去钨金属的静态腐蚀速率；用于降低钨CMP溶液的静态腐蚀速率的辅助氧化剂，该辅助氧化剂选自溴酸盐和氯酸盐；0至50重量百分比的研磨颗粒；和余量的水和偶然杂质。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||