| 发明名称 | CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法 | ||
| 摘要 | 晶体中的氯浓度为0.1－5.0ppmwt、室温下的电阻率为1.0×10<SUP>9</SUP>Ω·cm或以上的CdTe单晶；和制备所述CdTe单晶的方法，该方法包括以掺杂了50－200ppmwt氯的CdTe多晶为原料，通过垂直温度梯度凝固法、水平温度梯度凝固法、垂直布里奇曼法、水平布里奇曼法和液封直拉法的任一种方法使晶体生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1623014A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN02828598.0 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 平野立一 |
| 分类号 | C30B29/48;C01B19/04 | 主分类号 | C30B29/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭广迅;庞立志 |
| 主权项 | 1.CdTe单晶，其特征在于：晶体中的氯浓度为0.1-5.0ppmwt，室温下的电阻率为1.0×109Ω·cm或以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||