发明名称 |
硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法及吸附材料 |
摘要 |
硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法及吸附材料。本方法是利用分子印迹技术和硅球内在的优点合成高选择性的吸附材料。硅球在甲烷磺酸中表面被活化产生活性羟基;含有双功能基团的三甲氧基巯基丙基硅烷在甲醇中与镉离子形成络合物;络合物和活化硅球一起水解缩合,将络合物嫁接在硅球表面上,经过盐酸萃取将模板金属离子除去,得到镉离子印迹巯基功能化硅球。该吸附材料在改性硅球上留下了特制的空穴,这种特制的空穴对模板金属离子具有很高的识别能力。本方法的合成原理和合成过程非常简单;所用仪器设备均为普通设备,其生产成本低;反应条件简单,加热回流即可,没有苛刻的条件要求。所合成的材料对镉离子具有高选择性。 |
申请公布号 |
CN1621146A |
申请公布日期 |
2005.06.01 |
申请号 |
CN200410072308.3 |
申请日期 |
2004.10.10 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
方国臻;谭津;严秀平 |
分类号 |
B01J20/10;B01J20/22;B01J20/30 |
主分类号 |
B01J20/10 |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
1、一种硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法,其特征是该方法通过以下步骤完成:a.硅球在甲烷磺酸中进行活化;b.三甲氧基巯基丙基硅烷在甲醇中与镉离子形成络合物;c.将a步中的活化硅球与b步中的络合物进行水解缩合;d.盐酸萃取除去模板金属离子,制得对镉离子具有高选择性的吸附材料。 |
地址 |
300071天津市南开区卫津路94号南开大学中心实验室 |