发明名称 | 绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法 | ||
摘要 | 本发明提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成高质量、高纯度的含有锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法。本发明的绝缘膜成膜用原料由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇或烃选出的1种以上的有机溶剂组成,或者由锂的烷氧基化合物或锂的羧酸盐、四甲氧基硅烷或者四乙氧基硅烷及有机溶剂组成,本发明的成膜方法是使用这些原料进行成膜的。 | ||
申请公布号 | CN1622225A | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
申请号 | CN200410086722.X | 申请日期 | 2004.10.26 |
申请人 | 日本派欧尼株式会社 | 发明人 | 高松勇吉;米山岳夫;十七里和昭;副岛宜胜;桐山晃二;石井隆史 |
分类号 | H01B3/18;C09D5/25;B05D1/00 | 主分类号 | H01B3/18 |
代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
主权项 | 1.一种绝缘膜成膜用原料,其特征是由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇、烃选出的1种以上的有机溶剂组成的。 | ||
地址 | 日本国东京都 |