半导体晶片表面保护粘结膜及其应用

摘要

本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记特性A、特性B或特性C中至少一个特性的层。特性A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×10⁹～1×10¹⁰Pa的高弹性模数特性(A)；特性B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×10⁸Pa以下的高弹性模数特性(B)；特性C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5％的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。

主权项

1.一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于，是在总厚度为50～300微米的基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其中所说的基材膜具有特性A和、特性B或特性C中至少一个特性：特性A：50℃下膜硬挺度值处于0.08～1.50N范围内的高刚性特性(A)；特性B：90℃下膜硬挺度值小于50℃下膜硬挺度值的三分之一的特性(B)；特性C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～0.5％的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。