| 发明名称 | 用SIGE BICMOS集成方案制造多晶－多晶电容器的方法 | ||
| 摘要 | 一种用BiCMOS工艺来制造集成的多晶-多晶电容器的方法，它包括在淀积CMOS晶体管的栅电极的过程中制作多晶-多晶电容器的下平板电极；以及在生长异质结双极晶体管的SiGe基区的过程中制作上SiGe平板电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1204616C | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
| 申请号 | CN01143340.X | 申请日期 | 2001.12.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 道格拉斯·D·库鲍科;詹姆斯·S·杜恩;斯蒂芬·A·斯特翁奇 |
| 分类号 | H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用BiCMOS工艺来制造集成的多晶-多晶电容器的方法，它包含在淀积CMOS晶体管的栅电极的过程中制作多晶-多晶电容器的下平板电极；以及在生长异质结双极晶体管的SiGe基区的过程中制作上SiGe平板电极。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||