发明名称 METHOD FOR FORMING GATE OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20050050191(A) 申请公布日期 2005.05.31
申请号 KR20030083876 申请日期 2003.11.25
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, GO
分类号 (IPC1-7):H01L21/336 主分类号 (IPC1-7):H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址