| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPORTANT UNE COUCHE UTILE EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN DE PROPRIETES AMELIOREES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2840730(B1) |
申请公布日期 |
2005.05.27 |
| 申请号 |
FR20020007132 |
申请日期 |
2002.06.11 |
| 申请人 |
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
LETERTRE FABRICE;GHYSELEN BRUNO;RAYSSAC OLIVIER |
| 分类号 |
H01L21/18;H01L21/20;H01L21/76;H01L21/762;H01S5/02;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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