| 发明名称 |
DIELECTRIC LAYER ALLOYED HAFNIUM OXIDE AND ALUMINIUM OXIDE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050049700(A) |
申请公布日期 |
2005.05.27 |
| 申请号 |
KR20030083398 |
申请日期 |
2003.11.22 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KIL, DEOK SIN;ROH, JAE SUNG;SOHN, HYUN CHUL |
| 分类号 |
H01L27/105;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/105 |
主分类号 |
H01L27/105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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