| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、场致发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以使TFT等半导体元件的焊盘的间距缩小化，并且提高与半导体元件的导通的可靠性，同时可以防止半导体元件的破损的半导体装置、半导体装置的制造方法及使用半导体装置的EL装置、使用半导体装置的制造方法的EL装置的制造方法。其特征是，在元件(13)和安装基板(10)之间，被利用由导电性材料(11)制成的单一的膜直接连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1619804A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN200410092609.2 | 申请日期 | 2004.11.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 小枝周史 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/50;H01L29/78;H05B33/10;G09F9/30 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征是，元件和安装基板之间被由导电性材料制成的单一的膜直接连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||