用于制造具有细微图案的半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。具体地说，先平坦化形成在提供导电结构的基板结构上的层间绝缘层和蚀刻停止层。然后，使用光刻胶图案和抗反射涂层作为掩模，形成氮化物系材料制成的硬式掩模。在硬式掩模形成之后，移除光刻胶图案和抗反射涂层。接着，使用硬式掩模作为蚀刻掩模，进行SAC蚀刻过程以蚀刻层间绝缘层，从而得到暴露位在导电结构之间的蚀刻停止层的接触孔洞。通过使用全回蚀刻方法移除暴露的蚀刻停止层，之后应用清洗过程。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包含下列步骤：在提供单元区和周边区的基板上形成多个导电结构；在导电结构上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成层间绝缘层；通过移除层间绝缘层和蚀刻停止层，平坦化层间绝缘层和蚀刻停止层，直到暴露出导电结构；在平坦化的导电结构和层间绝缘层上，形成用以形成硬式掩模的氮化物层；在氮化物层上形成抗反射涂层；通过使用ArF光源的光刻过程，在抗反射涂层上形成光刻胶图案；使用光刻胶图案作为蚀刻掩模，选择性蚀刻抗反射涂层和氮化物层，从而形成硬式掩模；移除光刻胶图案和抗反射涂层；使用硬式掩模作为蚀刻掩模，蚀刻位于导电结构之间的层间绝缘层，从而至少形成一个暴露蚀刻停止层的接触孔洞；移除暴露的蚀刻停止层，从而暴露出基板；以及清洗接触孔洞内部。