可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法

摘要

本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。

主权项

1.一种用于写入存储元件的方法，所述方法包括：把导体预充电为第一电压值，所述第一电压通过与所述导体相关的电容保持在所述导体上；把可编程导体存储元件耦合在所述导体上的所述第一电压与第二电压之间，以便在所述存储元件中写入预定阻态。